[發(fā)明專利]互補(bǔ)式金屬半導(dǎo)體影像傳感器的結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 02140315.5
• 申請(qǐng)日: 2002-06-25
• 公開（公告）號(hào): CN1399346A
• 公開（公告）日: 2003-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳重堯;林震寶;劉鳳銘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/14
• 分類號(hào): H01L27/14;H01L31/00;H01L21/82
• 代理公司: 北京集佳專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 王學(xué)強(qiáng)

1.一種互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的結(jié)構(gòu)，其特征是，該傳感器至少包括：

一基底；

一光二極管感測(cè)區(qū)，設(shè)置于該基底中；

一晶體管元件區(qū)，設(shè)置于該基底中，且該光二極管感測(cè)區(qū)與該晶體管元件區(qū)以一隔離層區(qū)隔；

一晶體管，設(shè)置于該晶體管元件區(qū)上，該晶體管包括一柵極氧化層、一柵極導(dǎo)體層、一間隙壁與一源/漏極區(qū)；

一自對(duì)準(zhǔn)絕緣層，設(shè)置于該光二極管感測(cè)區(qū)上；以及

一保護(hù)層，設(shè)置于該基底上，且至少覆蓋該光二極管感測(cè)區(qū)以及該晶體管元件區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的結(jié)構(gòu)，其特征是，該保護(hù)層的材質(zhì)包括防止等離子體蝕刻侵蝕的材質(zhì)。

3.如權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的結(jié)構(gòu)，其特征是，該保護(hù)層的材質(zhì)包括氮化硅。

4.如權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的結(jié)構(gòu)，其特征是，該自對(duì)準(zhǔn)絕緣層的材質(zhì)包括氧化硅。

5.如權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的結(jié)構(gòu)，其特征是，該光二極管感測(cè)區(qū)包括一摻雜區(qū)，且該摻雜區(qū)的摻雜型態(tài)與該源/漏極區(qū)相同。

6.如權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的結(jié)構(gòu)，更包括一金屬硅化物層覆蓋于該柵極導(dǎo)體層與該源極/漏極區(qū)上。

7.如權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的結(jié)構(gòu)，其特征是，該基底具有p型摻雜，該光二極管感測(cè)區(qū)包括一n型摻雜區(qū)。

8.如權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的結(jié)構(gòu)，其特征是，該基體具有n型摻雜，該光二極管感測(cè)區(qū)包括一p型摻雜區(qū)。

9.一種互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的制造方法，其特征是，該方法包括下列步驟：

提供一基底；

在該基底中形成多個(gè)隔離層，且該些隔離層將該基底區(qū)隔為一光二極管感測(cè)區(qū)以及一晶體管元件區(qū)；

在該基底上形成一柵極氧化層、一柵極導(dǎo)體層；

定義該柵極導(dǎo)體層以及該柵極氧化層，以于該晶體管元件區(qū)形成一柵極結(jié)構(gòu)；

在該柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的該晶體管元件區(qū)中形成一源/漏極區(qū)，且同時(shí)在該光二極管感測(cè)區(qū)中形成一摻雜區(qū)；

在該光二極管感測(cè)區(qū)上形成一自對(duì)準(zhǔn)絕緣層；以及

在該基底上形成一保護(hù)層，且該保護(hù)層至少覆蓋于該光二極管感測(cè)區(qū)以及該晶體管元件區(qū)之上。

10.如權(quán)利要求9所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的制造方法，其特征是，該保護(hù)層的材質(zhì)包括防止等離子體蝕刻侵蝕的材質(zhì)。

11.如權(quán)利要求9所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的制造方法，其特征是，該保護(hù)層的材質(zhì)包括氮化硅。

12.如權(quán)利要求11所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的制造方法，其特征是，形成該保護(hù)層的方法包括一等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法。

13.如權(quán)利要求12所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的制造方法，其特征是，該等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法所使用的反應(yīng)氣體源包括硅甲烷與氨氣。

14.如權(quán)利要求9所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的制造方法，其特征是，該自對(duì)準(zhǔn)絕緣層的材質(zhì)包括氧化硅。

15.如權(quán)利要求9所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的制造方法，其特征是，形成該自對(duì)準(zhǔn)絕緣層的方法包括等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法。

16.如權(quán)利要求9所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的制造方法，其特征是，更包括在該些隔離層下形成一通道阻絕區(qū)。

17.如權(quán)利要求9所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的制造方法，其特征是，更包括進(jìn)行一自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化工藝，以在該柵極導(dǎo)體層與該源/漏極區(qū)形成一金屬硅化物。

18.如權(quán)利要求9所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的制造方法，其特征是，該基底具有p型摻雜，且形成該源/漏極區(qū)以及該摻雜區(qū)所植入的離子包括n型摻雜。

19.如權(quán)利要求9所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的制造方法，其特征是，該基底具有n型摻雜，且形成該源/漏極區(qū)以及該摻雜區(qū)所植入的離子包括p型摻雜。