[發明專利]窄帶光譜響應的量子阱紅外探測器無效
| 申請號: | 02136721.3 | 申請日: | 2002-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN1399351A | 公開(公告)日: | 2003-02-26 |
| 發明(設計)人: | 陸衛;甄紅樓;李寧;徐向晏;李志鋒;陳效雙 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號: | H01L31/00 | 分類號: | H01L31/00;H01L27/14;G01J1/02 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人: | 郭英 |
| 地址: | 20008*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 窄帶 光譜 響應 量子 紅外探測器 | ||
1.一種窄帶光譜響應的量子阱紅外探測器,包括:窄帶濾光片(1)和量子阱薄層(2),窄帶濾光片由襯底和在襯底二面交替蒸鍍多層低折射率膜層和高折射率膜層組成,膜層厚度為隨機漲落的層厚,由計算機產生,襯底材料為常規的紅外窗口材料,如硅、鍺、硫化鋅、硒化鋅等;其特征在于:
a.在窄帶濾光片(1)的一表面貼附著量子阱薄層(2),在量子阱薄層(2)上面還制備有一無序型光柵(3);
b.窄帶濾光片的中心波長必需與量子阱紅外探測器所要探測的波長一至。
2.根據權利要求1一種窄帶光譜響應的量子阱紅外探測器,其特征在于:所說的量子阱薄層(2)的結構為任意一種利用子帶間躍遷導致紅外光探測響應的結構,如GaAs/AlGaAs量子阱結構或InGaAs/GaAs結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院上海技術物理研究所,未經中國科學院上海技術物理研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/02136721.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:調整振蕩器頻率的方法
- 下一篇:蠶絲短纖維絲絨保健被及生產方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





