[發(fā)明專(zhuān)利]插層型或無(wú)定形高嶺土及其制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 02134791.3 | 申請(qǐng)日： | 2002-09-24 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1401566A | 公開(kāi)（公告）日： | 2003-03-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王煉石;曹秀華;周奕雨 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 華南理工大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | C01B33/26 | 分類(lèi)號(hào)： | C01B33/26 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 插層型 無(wú)定形 高嶺土 及其 制備 方法 | ||
【說(shuō)明書(shū)】：
下載完整專(zhuān)利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于華南理工大學(xué)，未經(jīng)華南理工大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/02134791.3/2.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 一種二極管選擇元件陣列結(jié)構(gòu)及制造方法
- 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法
- 一種促進(jìn)陽(yáng)離子型有機(jī)分子插層高嶺石的方法
- 一種n型和p型三層石墨烯插層化合物的制備方法
- 一種陽(yáng)離子型有機(jī)物/高嶺石插層復(fù)合物的簡(jiǎn)化制備工藝
- 復(fù)合材料“工”型長(zhǎng)桁壁板結(jié)構(gòu)、成型模具及成型方法
- 復(fù)合材料“工”型長(zhǎng)桁壁板結(jié)構(gòu)及成型模具
- 復(fù)合材料長(zhǎng)桁圓角過(guò)渡區(qū)結(jié)構(gòu)及復(fù)合材料加筋壁板
- 基于插指狀復(fù)合金剛石層的GaN HEMT及制備方法
- 基于插指狀p型摻雜金剛石的GaN HEMT及制備方法
- 制備鐵基無(wú)定形金屬粉末的方法及用其制備軟磁芯的方法
- 包含無(wú)定形活性物質(zhì)的穩(wěn)定藥物制劑
- 用基于無(wú)定形聚-α-烯烴和/或改性無(wú)定形聚-α-烯烴的熱熔體對(duì)人造草皮原料進(jìn)行背面固定
- 無(wú)定形鹽酸伊伐布雷定
- 無(wú)定形碳膜的處理方法，開(kāi)口的形成方法
- 無(wú)定形碳硬掩膜層的形成方法及刻蝕方法
- 半導(dǎo)體器件的制造方法
- 適用于無(wú)定形節(jié)點(diǎn)網(wǎng)絡(luò)中干擾抑制的半靜態(tài)頻率復(fù)用方法
- 無(wú)定形活性碳材料及其生產(chǎn)方法
- 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法
