[發明專利]實現信息提示的半導體存儲方法及裝置

有效

• 申請號: 02134290.3
• 申請日: 2002-06-30
• 公開（公告）號: CN1388447A
• 公開（公告）日: 2003-01-01
• 發明（設計）人: 鄧國順;成曉華;向鋒
• 申請（專利權）人: 深圳市朗科科技有限公司
• 主分類號: G06F9/44
• 分類號: G06F9/44
• 代理公司: 深圳睿智專利事務所
• 代理人: 陳鴻蔭

1.一種實現信息提示的半導體存儲方法，包括步驟：

A.設置半導體存儲裝置，該裝置裝用半導體存儲介質模塊(3)、控制所述半導體存儲裝置的控制器模塊(1)以及接口模塊(2)；

其特征在于：還包括以下步驟

B.所述半導體存儲裝置裝用信息提示模塊(5)；

C.所述信息提示模塊(5)獲取來自所述半導體存儲裝置外部的和/或該裝置自身的信息；

D.所述信息提示模塊(5)將獲取的信息作出提示。

2.如權利要求1所述的半導體存儲方法，其特征在于：所述信息提示是利用液晶顯示(LCD)、發光二極管矩陣(LED?Matrix)、平板場發射(FED)和/或有機電致發光(OEL)來顯示文字和/或圖形，和/或利用揚聲器、蜂鳴器和/或晶體發聲器作聲音提示，和/或利用震動器作震動提示。

3.如權利要求1所述的半導體存儲方法，其特征在于：所述步驟C或D的所述信息是指靜態信息和/或動態信息，所述靜態信息是指用戶信息、設備信息和存儲內容信息或者前述三者信息中的一部分。

4.如權利要求3所述的半導體存儲方法，其特征在于：所述靜態信息是指生產廠家信息、用戶名、用戶代號、用戶密碼、產品型號、產品序列號、產品條碼、存儲內容的描述、所述半導體存儲裝置的存儲總容量、存儲介質塊數、每塊存儲介質的容量和/或存儲介質的生產廠家；所述動態信息是指設備讀寫狀態、存取的文件屬性、已用空間、剩余空間、寫保護狀態、當前工作盤屬性、溫度、濕度、噪聲指數、日期、時間和/或空氣指數。

5.如權利要求1所述的半導體存儲方法，其特征在于：所述半導體存儲裝置中設置有提示信息存儲區，該存儲區用以存儲提示信息。

6.如權利要求5所述的半導體存儲方法，其特征在于：所述提示信息存儲區可以設置在所述半導體存儲介質模塊(3)、信息提示模塊(5)和/或控制器模塊(1)中。

7.如權利要求2所述的半導體存儲方法，其特征在于：所述顯示文字和/或圖形的方式可以是動態顯示和/或靜態顯示。

8.如權利要求1或2所述的半導體存儲方法，其特征在于：還包括設置信息提示的手動控制器件，利用該器件實現信息提示的手動控制。

9.如權利要求1所述的半導體存儲方法，其特征在于：在所述半導體存儲裝置內設置電源模塊(4)，所述電源模塊(4)是從外部和/或自帶電源汲取電力。

10.如權利要求9所述的半導體存儲方法，其特征在于：在自帶電源的情況下設有電源控制開關。

11.如權利要求9所述的半導體存儲方法，其特征在于：所述自帶電源是光電池、原電池和/或可充電電池。

12.如權利要求9所述的半導體存儲方法，其特征在于：所述電源模塊(4)設有變換電路為自帶的可充電電池充電。

13.如權利要求1所述的半導體存儲方法，其特征在于：所述信息的內容和/或信息提示模塊(5)的工作方式可以通過運行在數據處理系統主機中的軟件定義和修改。

14.如權利要求1所述的半導體存儲方法，其特征在于：所述存儲介質所采用的介質是快閃存儲器(Flash?Memory)、DRAM、EEPROM、SRAM、FRAM、MRAM和/或MILLIPEDE；所述接口模塊(2)是USB接口、IEEE1394接口、藍牙(Bluetooth)接口、IrDA紅外接口、HomeRF接口、IEEE802.11a接口、IEEE802.11b接口、有線廣域/局域網接口和/或無線廣域/局域網接口。

15.一種實現信息提示的半導體存儲裝置，包括控制器模塊(1)以及分別與所述模塊(1)電連接的接口模塊(2)和半導體存儲介質模塊(3)，其特征在于：還包括信息提示模塊(5)，該信息提示模塊(5)至少又包括顯示器件、發聲器件和/或震動器件；所述各模塊可以單獨存在，也可以合并為一個或幾個模塊。

16.如權利要求15所述的半導體存儲裝置，其特征在于：所述信息提示模塊(5)包括控制模塊(51)和提示模塊(52)，該控制模塊(51)控制所述提示模塊(52)的操作；或者所述信息提示模塊(5)只包括提示模塊(52)。