[發明專利]縱向晶體管、存儲裝置以及用于制造縱向晶體管的方法

有效

• 申請號: 02131511.6
• 申請日: 2002-06-25
• 公開（公告）號: CN1400669A
• 公開（公告）日: 2003-03-05
• 發明（設計）人: P·哈格梅耶
• 申請（專利權）人: 因芬尼昂技術股份公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L27/105;H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 張志醒

1.縱向晶體管

·具有一源區，

·具有一漏區，

·具有一柵極區，和

·具有一在源區和漏區之間的溝道區，

·其中，在半導體襯底中的垂直方向上設置源區、溝道區和漏區，

·其中，柵極區具有對源區、對漏區和對溝道區的電絕緣，和

·其中，柵極區(104)是如此地圍繞溝道區布置的，使得柵極區和溝道區(104)形成一種同軸結構。

2.按權利要求1的縱向晶體管，其中，溝道區和柵極區之間的所述的電絕緣是由電絕緣層組成的層序列。

3.按權利要求1或2的縱向晶體管，其中，借助一種可施加到柵極區上的電位可以同軸收縮在溝道區中的源區和漏區之間構成的電載流子溝道。

4.按權利要求1至3之一的縱向晶體管，其中，在溝道區和柵極區之間的所述電絕緣的一定區域中可以存儲電載流子。

5.按權利要求1至4之一的縱向晶體管，其中，溝道區和柵極區之間的所述的電絕緣是一由一第一氧化物層、一氮化物層和一第二氧化物層組成的氧化物-氮化物-氧化物層序列。

6.按權利要求5的縱向晶體管，其中，在氮化物層的一定區域中可以存儲電載流子。

7.具有多個按權利要求1至6之一的縱向晶體管的存儲裝置，其中，在半導體襯底中的存儲器矩陣中彼此并列地布置了所述的縱向晶體管。

8.一種用于制造縱向晶體管的方法，

·其中，在一半導體襯底上生成一第一導電區，

·其中，在所述的第一導電區上生成一溝道區，

·其中，圍繞所述的溝道區首先如此地生成一絕緣層，并且然后如地此生成一種柵極區，使得所述的溝道區、所述的絕緣層和所述的柵極區形成一同軸結構，并使得所述的柵極區與所述的第一導電區電絕緣，和

·其中，在所述的溝道區上生成一與所述的柵極區電絕緣的第二導電區。

9.按權利要求8的方法，其中，生成一由電絕緣層組成的層序列作為溝道區和柵極區之間的絕緣層。

10.按權利要求8或9的方法，其中，在所述的溝道區中的第一導電區和第二導電區之間，構成借助可施加到所述溝道區上的電位可以同軸收縮的載流子溝道。

11.按權利要求8至10之一的方法，其中，在溝道區和柵極區之間的所述絕緣層的一定區域中存儲電載流子。????

12.按權利要求8至11之一的方法，其中，生成一由一第一氧化物層、一氮化物層和一第二氧化物層組成的氧化物-氮化物-氧化物層序列作為在溝道區和柵極區之間的絕緣層。

13.按權利要求12的方法，其中，在溝道區和柵極區之間的所述氮化物層的一定區域中存儲電載流子。