[發明專利]肖特基勢壘二極管及其制造方法

無效

• 申請號: 02127233.6
• 申請日: 2002-07-29
• 公開（公告）號: CN1400672A
• 公開（公告）日: 2003-03-05
• 發明（設計）人: 淺野哲郎;小野田克明;中島好史;村井成行;冨永久昭;平田耕一;榊原干人;石原秀俊
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/328
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 楊梧,馬高平

1.一種肖特基勢壘二極管，其特征在于，包括：化合物半導體基板；設在該基板上的平坦的一導電型外延層；穿透所述外延層而設置的一導電型高濃度離子注入區域；第一電極，其在所述高濃度離子注入區域形成歐姆結；第二電極，其與所述外延層形成肖特基結；金屬層，取出所述第一及第二電極。

2.一種肖特基勢壘二極管，其特征在于，包括：化合物半導體基板；設在該基板上的平坦的一導電型高濃度外延層和一導電型外延層；穿透所述外延層直到所述高濃度外延層而設置的一導電型高濃度離子注入區域；在所述高濃度離子注入區域表面成歐姆結的第一電極；被所述第一電極圍住外周、與所述外延層形成肖特基結的第二電極；取出所述第一及第二電極的金屬層。

3.如權利要求1或2所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述化合物半導體基板是非摻雜的GaAs基板。

4.如權利要求1或2所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述第二電極與所述高濃度離子注入區域的間隔距離是5μm以下。

5.如權利要求1或2所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于，設置多個所述第二電極形成的肖特基結區域。

6.如權利要求1或2所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述高濃度離子注入區域從所述第一電極凸出設置。

7.一種肖特基勢壘二極管的制造方法，其特征在于，包括：在預定的第一電極下的一導電型外延層形成一導電型的高濃度離子注入區域的工序；形成在所述高濃度離子注入區域表面成歐姆結的第一電極的工序；形成與所述外延層表面形成肖特基結的第二電極的工序；形成分別與所述第一電極及第二電極接觸的金屬層的工序。

8.一種肖特基勢壘二極管的制造方法，其特征在于，包括：在非摻雜化合物半導體基板上層積一導電型高濃度外延層和一導電型外延層，形成從預定的第一電極下的所述外延層表面到達所述高濃度外延層的一導電型高濃度離子注入區域的工序；形成在所述高濃度離子注入區域表面成歐姆結的第一電極的工序；形成被所述第一電極圍住外周并與所述外延層表面形成肖特基結的第二電極的工序；形成分別與所述第一及第二電極接觸的金屬層的工序。

9.如權利要求7或8所述的肖特基勢壘二極管的制造方法，其特征在于，所述第二電極是依次蒸鍍Ti/Pt/Au的多層金屬層而形成的。