[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 02127169.0
• 申請日: 2002-07-30
• 公開（公告）號: CN1400659A
• 公開（公告）日: 2003-03-05
• 發明（設計）人: 渡邉桂;西山幸男
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L23/532
• 分類號: H01L23/532;H01L23/522;H01L21/768;H01L21/316;H01L21/314
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1.一種半導體器件，具備：

半導體襯底；

設置在上述半導體襯底上邊的層間絕緣膜；

埋入到上述層間絕緣膜內的第1金屬布線，其表面在與上述層間絕緣膜的表面大體上為一個面上露出；

在上述層間絕緣膜和上述第1金屬布線上邊形成，防止構成上述第1金屬布線的金屬的擴散的擴散防止膜；

設置在上述擴散防止膜上邊的摻氮氧化硅膜；

設置在上述摻氮氧化硅膜上邊的摻氟氧化硅膜；

埋入到上述摻氟氧化硅膜內且與上述第1金屬布線電連的第2金屬布線，其表面在與上述摻氟氧化硅膜的表面大體上為一個面上露出。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，上述摻氮氧化硅膜的折射率在1.50以上，1.55以下。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，上述摻氮氧化硅膜的氮濃度為6原子％以上，10.5原子％以下。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，還具備在上述摻氟氧化硅膜和上述第2金屬布線的上邊形成，防止構成上述第2金屬布線的金屬的擴散的另一擴散防止膜。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，上述第2金屬布線具有規定寬度的栓塞和與上述寬度不同的布線層。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，上述層間絕緣膜是摻氟氧化硅膜。

7.一種半導體器件，具備：

半導體襯底；

設置在上述半導體襯底上邊的層間絕緣膜；

使得其表面在與上述層間絕緣膜的表面大體上為一個面上露出來那樣地埋入到上述層間絕緣膜內的第1金屬布線；

在上述層間絕緣膜和上述第1金屬布線上邊設置，防止構成上述第1金屬布線的金屬的擴散的擴散防止膜；

設置在上述擴散防止膜上邊的第1摻氮氧化硅膜；

設置在上述第1摻氮氧化硅膜上邊的摻氟氧化硅膜；

設置在上述摻氟氧化硅膜上邊的第2摻氮氧化硅膜；

使得其表面在與上述第2摻氮氧化硅膜的表面大體上為一個面上露出來那樣地形成，把它貫通地埋入到上述第2摻氟氧化硅膜內，而且，與上述第1金屬布線電連的第2金屬布線。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，上述第1和第2摻氮氧化硅膜的折射率在1.50以上，1.55以下。

9.根據權利要求7所述的半導體器件，上述第11和第2摻氮氧化硅膜的氮濃度為6原子％以上，10.5原子％以下。

10.根據權利要求7所述的半導體器件，還具備在上述第2摻氮氧化硅膜和上述第2金屬布線的上邊形成，防止構成上述第2金屬布線的金屬擴散的另一擴散防止膜。

11.根據權利要求7所述的半導體器件，上述第2金屬布線具有規定寬度的栓塞和與上述寬度不同的布線層。

12.根據權利要求7所述的半導體器件，上述層間絕緣膜是摻氟氧化硅膜。

13.一種半導體器件的制造方法，包括：

把下層的布線層埋入到層間絕緣膜內，使得其表面在層間絕緣膜上大體上一個面地露出，

在上述層間絕緣膜和上述下層的布線層上邊，形成防止構成上述下層的布線層的金屬擴散的擴散防止膜，

在上述擴散防止膜上邊形成第1摻氮氧化硅膜，

在上述摻氮氧化硅膜上邊形成摻氟氧化硅膜，

在上述摻氟氧化硅膜上，形成布線溝和從上述布線溝的底部連接到上述下層的布線層的表面上的連接孔，

在上述連接孔內形成與上述下層的布線層電連的由金屬膜構成的栓塞，同時，在上述布線溝內形成連接到上述栓塞上的由上述金屬膜構成的上層的布線層。

14.根據權利要求13所述的半導體器件的制造方法，在上述擴散防止膜上邊形成第1摻氮氧化硅膜，包括把上述摻氮氧化硅膜的折射率作成為1.50以上，1.55以下。

15.根據權利要求13所述的半導體器件的制造方法，在上述擴散防止膜上邊形成第1摻氮氧化硅膜，包括把上述摻氮氧化硅膜的氮濃度作成為6原子％以上，10.5原子％以下。

16.根據權利要求13所述的半導體器件的制造方法，還包括在上述上層的布線層的上邊，形成防止構成上述上層的布線層的金屬擴散的另一擴散防止膜。