[發明專利]具有間隙控制器的晶片處理設備的噴頭無效
| 申請號: | 02126876.2 | 申請日: | 2002-07-16 |
| 公開(公告)號: | CN1397991A | 公開(公告)日: | 2003-02-19 |
| 發明(設計)人: | 樸鐘撤;金東賢;權五益;趙慧珍 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/3065 | 分類號: | H01L21/3065;H01L21/205;B05B1/00;B05B3/00 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 謝麗娜,谷惠敏 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 間隙 控制器 晶片 處理 設備 噴頭 | ||
1.一種噴頭,用于在半導體器件制造時向反應室內處理區域供給反應氣體,其特征在于:所述噴頭包括:
頂板,它具有氣體口,用于引入從外源向反應室供給的反應氣體;
一個面板,它具有多個通孔,與處理區域相對地設置;
第一擋板,它具有多個通孔,在頂板和面板之間設置第一擋板,使得能夠上下移動,第一擋板具有頂表面,它限定形成反應氣體的第一橫向流動通道的第一間隙;
第二擋板,它具有多個通孔,在第一擋板和面板之間設置第二擋板,使得它能夠上下移動,第二擋板具有頂表面,所述頂表面限定形成在第一和第二擋板之間反應氣體的第二橫向流動通道的第二間隙;和
間隙控制器,用于確定第一間隙的寬度和第二間隙的寬度。
2.根據權利要求1的噴頭,其特征在于:在第一擋板上形成的多個通孔包括:
多個第一通孔,所述第一通孔形成在接近第一擋板的中心軸線并與中心軸線在徑向分開第一距離的第一位置上;和
多個第二通孔,形成在接近第一擋板的邊緣并在徑向與中心軸線分開第二距離的第二位置上,所述的第二距離大于第一距離。
3.根據權利要求2的噴頭,其特征在于:
所述間隙控制器確定第一擋板的位置,以降低第一間隙的寬度,使得通過多個第一通孔流動的反應氣體量大于通過多個第二通孔流動的反應氣體量。
4.根據權利要求2的噴頭,其特征在于:
所述間隙控制器確定第一擋板的位置,以增加第一間隙寬度,使得通過多個第二通孔的反應氣體量增加。
5.根據權利要求1的噴頭,其特征在于:
間隙控制器確定第二擋板的位置,以增加第二間隙的寬度,使得通過在第二擋板形成上的多個通孔流動的反應氣體量在整個處理區域上均勻。
6.根據權利要求1的噴頭,其特征在于:
所述間隙控制器確定第二擋板的位置,以降低第二間隙的寬度,使得通過第二擋板中形成的多個通孔流動的反應氣體量選擇地按處理區域中的位置而變化。
7.根據權利要求1的噴頭,其特征在于:
間隙控制器包括:
第一墊圈環,它設置在第一擋板的頂部上,用于確定第一間隙的寬度;和
第二墊圈環,它設置在第一和第二擋板之間,用于確定第二間隙的寬度。
8.根據權利要求7的噴頭,其特征在于:第一墊圈環設置在第一擋板的頂部邊緣上,并且第二墊圈環設置在第二擋板的頂部邊緣上。
9.根據權利要求7的噴頭,其特征在于:
第一墊圈環由一個或多個環組成。
10.根據權利要求7的噴頭,其特征在于:第二墊圈環由一個或多個環組成。
11.根據權利要求7的噴頭,其特征在于:第一和第二墊圈環中的至少一個具有一環接觸部分,其中形成多個鋸齒。
12.根據權利要求11的噴頭,其特征在于:多個鋸齒的每個可以具有與90度中心角的弧的長度相對應的節距。
13.根據權利要求7的噴頭,其特征在于:環接觸部分的每個鋸齒高度在約0.01-0.5毫米的范圍。
14.根據權利要求7的噴頭,其特征在于:第一墊圈環具有相對第一擋板形成的多個鋸齒組成的環接觸部分,
其中第一擋板包括墊圈環耦接件,它具有與第一墊圈環相對地形成的多個鋸齒,以與在環接觸部分的多個鋸齒嚙合。
15.根據權利要求14的噴頭,其特征在于:墊圈環耦接件的多個鋸齒中的每個的節距與90度中心角的弧長相對應。
16.根據權利要求14的噴頭,其特征在于:墊圈環耦接件的每個鋸齒的高度在約0.01-0.5毫米范圍。
17.根據權利要求7的噴頭,其特征在于:第二墊圈環具有環形接觸部分,它包括與第二擋板相對地形成的多個鋸齒,
其中第二擋板包括墊圈環耦接件,它具有與第二墊圈環相對地形成的多個鋸齒,以便與所述環形接觸部分的多個鋸齒嚙合。
18.根據權利要求17的噴頭,其特征在于:墊圈環耦接件的多個鋸齒的每個的節距與90度中心角的弧長相對應。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





