[發明專利]物理氣相沉積制備大面積氧化鋅納米線膜層的方法

無效

• 申請號: 02125215.7
• 申請日: 2002-07-17
• 公開（公告）號: CN1396300A
• 公開（公告）日: 2003-02-12
• 發明（設計）人: 劉軍;章曉中;張迎九;朱靜
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/26
• 代理公司: 北京貝騰特專利事務所
• 代理人: 趙天真

1.一種物理氣相沉積制備大面積氧化鋅納米線膜層的方法，其特征在于：以管式水平電阻爐為加熱源，在密閉石英管反應腔內充入流動氬氣作保護氣體，以金屬鋅粉末為原料，采用物理氣相沉積法，在較低反應溫度條件下，于襯底硅片上生長出1mm×1mm以上大面積均勻的氧化鋅納米線膜層。其納米線的直徑為20-100nm，其工藝過程為：將鋅粉(3)盛于水平石英管(1)內的氧化鋁瓷舟(4)內，置于石英管(1)中間，該處為電阻爐(2)的均溫區。采用一維流動的氬氣作為保護氣體，其流量為50-500sccm，在氣流下游的管口處加入接收襯底(5)；實驗時從室溫起以50℃/min的速度加熱到反應溫度600-800℃，反應時間為30-60分鐘，然后自然冷卻至室溫，再停止通入保護氬氣。

2.根據權利要求1所述物理氣相沉積制備大面積氧化鋅納米線膜層的方法，其特征在于：所述襯底為單晶硅片。