[發明專利]銦錫氧化膜的制造方法有效
| 申請號： | 02125163.0 | 申請日： | 2002-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN1395138A | 公開（公告）日： | 2003-02-05 |
| 發明（設計）人： | 菱田光起 | 申請（專利權）人： | 三洋電機株式會社 |
| 主分類號： | G02F1/1343 | 分類號： | G02F1/1343;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人： | 戈泊,程偉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種銦錫氧化膜的制造方法，其特征在于：在常溫及添加水份的氣體環境下形成銦錫氧化膜，在成膜后，進行約180℃以上及約1小時以上的熱處理。
2.如權利要求1所述的銦錫氧化膜的制造方法，其特征在于：所述熱處理是以約220℃的溫度進行約1小時～約3小時。
3.如權利要求1或2所述的銦錫氧化膜的制造方法，其特征在于：所述在常溫及添加水份的氣體環境下形成的銦錫氧化膜是非晶質狀態，而所述熱處理是將該銦錫氧化膜進行多結晶化。
4.如權利要求1～3中任意一項所述的銦錫氧化膜的制造方法，其特征在于：所述銦錫氧化膜在成膜時的添加水份的氣體環境，滿足成膜室內的水份總分壓約為8.20×10-3帕以下。
5.如權利要求4所述的銦錫氧化膜的制造方法，其特征在于：所述銦錫氧化膜在成膜時的添加水份的氣體環境，滿足成膜室內的水份總分壓約為1×10-3帕以上。
6.如權利要求1～5中任意一項所述的銦錫氧化膜的制造方法，其特征在于：所述銦錫氧化膜在成膜后，在進行蝕刻的圖案化后，進行所述熱處理。
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