[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 02125145.2
• 申請日: 2002-06-28
• 公開（公告）號(hào): CN1395315A
• 公開（公告）日: 2003-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 篠木裕之;谷口敏光
• 申請（專利權(quán)）人: 三洋電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 楊梧,馬高平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置極其制造方法，換句話說，涉及一種凸出電極的形成。

背景技術(shù)

以下，參照附圖說明目前的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

在圖14(a)及圖14(b)中，標(biāo)號(hào)1是半導(dǎo)體基板，在該基板1上，形成由LOCOS氧化膜構(gòu)成的絕緣膜2，在該絕緣膜2上形成下層配線3。

另外，覆蓋所述下層配線3而形成層間絕緣膜4，通過形成于該層間絕緣膜4的通孔(ビアホ-ル)5與所述下層配線3連接形成的上層配線6。

而且，覆蓋所述上層配線6而形成鈍化膜7，在該鈍化膜7開口形成的接點(diǎn)部7A形成金凸出電極8。

發(fā)明內(nèi)容

在此，如果所述接點(diǎn)部下有通孔5，那么該通孔5的表面臺(tái)階也在金凸出電極8的表面保留。因此，由金凸出電極8的表面臺(tái)階，形成例如TAB(TapAutomated?Bonding)等實(shí)際安裝點(diǎn)安裝時(shí)的合格率低的原因。

特別是，例如以0.35μm等的細(xì)微化工藝形成各種晶體管時(shí)，各通孔(連接孔)的尺寸應(yīng)用最小尺寸，所以接點(diǎn)部的開口直徑也由多個(gè)微細(xì)的通孔構(gòu)成。因此如所述金凸出電極8表面那樣保留表面臺(tái)階。

換言之，所述金凸出電極8，以橫跨位于所述接點(diǎn)部周邊部的鈍化膜7的型式，形成于接點(diǎn)部上，所以在其中央部自然地形成表面洼陷。

本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置就是鑒于上述課題而開發(fā)的，是在形成于半導(dǎo)體基板上的接點(diǎn)部上形成凸出電極而構(gòu)成的，所述凸出電極比所述鈍化膜開口部更靠內(nèi)側(cè)形成。

另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括：在半導(dǎo)體基板上通過柵極氧化膜形成的柵極；與所述柵極鄰接形成的源、漏層；在所述柵極下方形成，構(gòu)成溝道的半導(dǎo)體層；與所述源、漏層連接的下層配線；通過在覆蓋所述下層配線的層間絕緣膜形成的通孔，與所述下層配線連接的上層配線；覆蓋所述上層配線的鈍化膜開口而形成的接點(diǎn)部；在所述接點(diǎn)部上比所述鈍化膜的開口部更靠內(nèi)側(cè)形成的凸出電極。

而且，所述通孔形成于覆蓋所述下層配線的層間絕緣膜上，形成于在所述接點(diǎn)部構(gòu)成的所述凸出電極下以外的區(qū)域。

另外，在所述述柵極下方與所述源、漏層相連并與所述半導(dǎo)體層連接形成與該源、漏層同一導(dǎo)電型的低濃度層。

進(jìn)而，在所述述柵極下方與所述源、漏層相連并與所述半導(dǎo)體層連接，在所述半導(dǎo)體表層淺淺地?cái)U(kuò)張形成與該源、漏層同一導(dǎo)電型的低濃度層，。

本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在半導(dǎo)體基板上經(jīng)絕緣膜形成配線，覆蓋該配線而形成鈍化膜后，在該鈍化膜形成圖案，在使所述上層配線上的規(guī)定區(qū)域開口形成的接點(diǎn)部上形成凸出電極，在比所述鈍化膜的開口部更靠內(nèi)側(cè)形成凸出電極。

本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括以下工序：在一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基板上，通過柵極氧化膜形成柵極的工序；在所述基板內(nèi)離子注入逆導(dǎo)電型雜質(zhì)，形成低濃度的逆導(dǎo)電型源、漏層的工序；通過離子注入逆導(dǎo)電型雜質(zhì)，形成與所述低濃度的逆導(dǎo)電型源、漏層相連的低濃度的逆導(dǎo)電型層的工序；通過離子注入逆導(dǎo)電型雜質(zhì)，在所述低濃度的逆導(dǎo)電型源、漏層內(nèi)，形成高濃度的逆導(dǎo)電型源、漏層的工序；通過注入離子一導(dǎo)電型雜質(zhì)，在所述柵極下方形成分?jǐn)嗨瞿鎸?dǎo)電型層的一導(dǎo)電型主體層的工序；通過覆蓋所述柵極的層間絕緣膜，形成與所述源、漏層連接的下層配線的工序；覆蓋所述下層配線而形成層間絕緣膜后，在該層間絕緣膜形成通孔的工序；形成通過所述通孔與所述下層配線連接的上層配線的工序；在覆蓋所述上層配線而形成的鈍化膜形成圖案，在該上層配線上的規(guī)定區(qū)域開口，形成接點(diǎn)部的工序；在比所述鈍化膜的開口部更靠內(nèi)側(cè)形成凸出電極的工序。

另外形成所述通孔的工序，在覆蓋所述下層配線的層間絕緣膜的接點(diǎn)部構(gòu)成的所述凸出電極下以外的區(qū)域形成。

這樣，通過使凸出電極在比鈍化膜的開口部更靠內(nèi)側(cè)的接點(diǎn)部上形成，凸出電極不受鈍化膜臺(tái)階的影響，使凸出電極表面平坦化。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；

圖2是表示本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；

圖3是表示本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；

圖4是表示本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；

圖5是表示本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；

圖6是表示本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；

圖7是表示本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；

圖8是表示本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；

圖9是表示本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；