[發明專利]化合物半導體裝置

無效

• 申請號: 02124890.7
• 申請日: 2002-06-24
• 公開（公告）號: CN1393933A
• 公開（公告）日: 2003-01-29
• 發明（設計）人: 淺野哲郎;上川正博;平田耕一;榊原干人
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L29/772
• 分類號: H01L29/772
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 楊梧,馬高平

1、一種化合物半導體裝置，具有設置在化合物半導體基板表面的溝道區域和、連接在所述溝道區域表面的源極、漏極及柵極；設置了與所述源極、漏極及柵極分別連接的源極用接點電極、漏極用接點電極及柵極用接點電極，其特征在于，

將各接點電極配置在芯片的角部，將所述溝道區域的柵極、源極及漏極沿芯片的大致對角線傾斜配置。

2、一種化合物半導體裝置，具有設置在化合物半導體基板表面的溝道區域和、連接在所述溝道區域表面的源極、漏極及柵極；設置了與所述源極、漏極及柵極分別連接的源極用接點電極、漏極用接點電極及柵極用接點電極，其特征在于，

將所述源極用接點電極配置在芯片對角線上兩個角部，將柵極及漏極用接點電極分別配置在芯片剩余的角部，使所述溝道區域的柵極、源極及漏極相對于芯片的邊，呈30度到60度角傾斜配置。

3、如權利要求1或2所述的化合物半導體裝置，其特征在于，所述化合物半導體基板，將(100)面作為表面，所述柵極實際上在所述基板的(011)方向或(011)方向形成。

4、如權利要求1或2所述的化合物半導體裝置，其特征在于，所述源極及所述柵極在所述溝道區域外通過絕緣膜交叉，連接在所述源極用接點電極及柵極用接點電極上。

5、如權利要求1或2所述的化合物半導體裝置，其特征在于，在所述各接點電極上，分別各固定一根聯接導線。

6、如權利要求1或2所述的化合物半導體裝置，其特征在于，作為所述化合物半導體基板，采用GaAs基板，在其表面形成所述溝道區域。

7、如權利要求1或2所述的化合物半導體裝置，其特征在于，所述柵極在溝道區域形成肖特基結，所述源極與漏極在溝道區域形電阻結。