[發明專利]制作濾光片的方法有效
| 申請號： | 02124708.0 | 申請日： | 2002-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN1396666A | 公開（公告）日： | 2003-02-12 |
| 發明（設計）人： | 葉拯邦;陳慶忠 | 申請（專利權）人： | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人： | 陳紅 |
| 地址： | 臺灣省*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制作 濾光 方法 | ||
1.一種增加一半導體晶片上的一濾光片附著力的方法，該半導體晶片上包含有一基底，復數個金屬氧化半導體(MOS)晶體管感測器設于該基底上，以及復數個絕緣物分別設于任兩MOS晶體管感測器間的該基底上，其特征是：該方法包含有下列步驟：
于該半導體晶片上形成一介電層，覆蓋該MOS晶體管感測器以及該絕緣物；
于該介電層上形成一保護層；
于該保護層內形成復數個濾光凹槽，其中每一濾光凹槽設置于相對應的一MOS晶體管感測器上方；以及
于每一濾光凹槽中各形成一濾光片；
其中該濾光凹槽用來增加該濾光片與該保護層的接觸面積，以避免該濾光片發生剝落。
2.如權利要求1所述的方法，其特征是：該濾光片設置于一光學感測裝置中。
3.如權利要求1所述的方法，其特征是：該MOS晶體管感測器為一互補式MOS晶體管(CMOS)感測器。
4.如權利要求1所述的方法，其特征是：該絕緣物為一場氧化層或一淺溝隔離。
5.如權利要求1所述的方法，其特征是：該介電層由一多硅硅氧層以及一旋涂式玻璃所構成。
6.如權利要求1所述的方法，其特征是：該保護層由氮氧化硅所構成。
7.如權利要求1所述的方法，其特征是：該方法于形成該濾光片的制程后另包含有一形成聚光鏡的制程。
8.一種制作一半導體晶片上的濾光片的方法，其特征是：該半導體晶片上包含有一基底，一金屬氧化半導體(MOS)晶體管感測器設于該基底上，以及復數個絕緣物環繞于該MOS晶體管感測器周圍的該基底上，該方法包含有下列步驟：
于該半導體晶片上形成一介電層，覆蓋該MOS晶體管感測器以及該絕緣物；
于該介電層上形成一保護層；
于該保護層內形成一濾光凹槽，其中該濾光凹槽設置于相對應于該MOS晶體管感測器之上方；以及
于該濾光凹槽中形成該濾光片。
9.如權利要求8所述的方法，其特征是：該濾光片設置于一光學感測裝置中。
10.如權利要求8所述的方法，其特征是：該MOS晶體管感測器為一互補式MOS晶體管(CMOS)感測器。
11.如權利要求8所述的方法，其特征是：該絕緣物為一場氧化層或一淺溝隔離。
12.如權利要求8所述的方法，其特征是：該介電層由一多硅硅氧層以及一旋涂式玻璃所構成。
13.如權利要求8所述的方法，其特征是：該保護層由氮氧化硅所構成。
14.如權利要求8所述的方法，其特征是：該方法于形成該濾光片的制程后另包含有一形成聚光鏡的制程。
15.如權利要求8所述的方法，其特征是：該濾光凹槽用來增加該濾光片與該保護層的接觸面積，以避免該濾光片發生剝落。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
