[發(fā)明專利]可實現(xiàn)高密度化或高性能化的半導體存儲器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 02124500.2 | 申請日： | 2002-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN1414564A | 公開（公告）日： | 2003-04-30 |
| 發(fā)明（設計）人： | 長澤勉;米谷英樹;石田耕三;神保伸一;諏訪真人;山內忠昭;松本淳子;田增成;岡本武郎 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | G11C11/401 | 分類號： | G11C11/401;G11C11/41;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 劉宗杰,葉愷東 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 實現(xiàn) 高密度 性能 半導體 存儲器 | ||
【權利要求書】：
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