[發(fā)明專利]電容器下電極的結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 02124310.7
• 申請日: 2002-06-14
• 公開（公告）號: CN1393909A
• 公開（公告）日: 2003-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫嘉駿;林思閩;王泉富
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/70
• 代理公司: 北京集佳專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 王學(xué)強(qiáng)

1.一種電容器下電極的結(jié)構(gòu)，其特征是，該電容器下電極的俯視圖呈一狹長形，該狹長形具有兩端及兩側(cè)邊，其中該兩端皆呈一尖凸?fàn)睿以搩蓚?cè)邊皆向內(nèi)凹入。

2.如權(quán)利要求1所述的電容器下電極的結(jié)構(gòu)，其特征是，該電容器下電極的材質(zhì)包括多晶硅。

3.一種提高電容器下電極工藝合格率的方法，其特征是，該方法包括：

在形成多個電容器下電極時，將其中每一個電容器下電極皆定義成俯視圖呈一狹長形，且具有相同的指向，其中該狹長形具有兩端及兩側(cè)邊，該兩端皆呈一尖凸?fàn)睿以搩蓚?cè)邊皆向內(nèi)凹入；以及

在形成該電容器下電極之后所進(jìn)行的一清洗步驟中，使該清洗步驟中所使用的一清洗溶液的水流方向大致與該些電容器下電極的一長軸平行。

4.如權(quán)利要求3所述的提高電容器下電極工藝合格率的方法，其特征是，該些電容器下電極的材質(zhì)包括多晶硅。

5.如權(quán)利要求3所述的提高電容器下電極工藝合格率的方法，其特征是，該清洗步驟為一用來清洗該些電容器下電極的表面。

6.如權(quán)利要求5所述的提高電容器下電極工藝合格率的方法，其特征是，該清洗溶液的組成包括去離子水、硫酸(H₂SO₄)與過氧化氫(H₂O₂)。