[發明專利]用于寬間隙基片接合的多層集成電路

有效

• 申請號: 02124308.5
• 申請日: 2002-06-11
• 公開（公告）號: CN1391281A
• 公開（公告）日: 2003-01-15
• 發明（設計）人: M·J·雷甘;J·利貝斯金德;C·C·哈盧扎克
• 申請（專利權）人: 惠普公司
• 主分類號: H01L27/00
• 分類號: H01L27/00;H01L21/70;B81B7/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊凱,張志醒

1.一種集成電路(30)，它包括：

具有蝕刻面和非蝕刻面的基片(10)，所述蝕刻面包含電路元件(22，24)而所述非蝕刻面包含接合面(18)，所述非蝕刻面在距離所述蝕刻面預定高度(12)處。

2.如權利要求1所述的集成電路(30)，其特征在于：所述蝕刻面和所述非蝕刻面通過漸變斜面分開。

3.如權利要求1所述的集成電路(30)，其特征在于：它還包括一組位于所述蝕刻面和所述非蝕刻面之間的層間連接(32)。

4.如權利要求1所述的集成電路(30)，其特征在于：所述非蝕刻面具有設置在所述集成電路周邊的封口(18)。

5.如權利要求1所述的集成電路(30)，其特征在于：所述蝕刻面和所述非蝕刻面之間的所述預定高度(12)在大約2微米到大約400微米之間。

6.一種集成電路(30)，它包括：

基片(10)，它具有包含電路元件(22，24)的第一表面和從所述第一表面經過一段漸變斜面(28)升高的第二表面；以及

一組連續的導電跡線(32)，它們從所述第一表面延伸到所述第二表面。

7.如權利要求6所述的集成電路(30)，其特征在于：第一和第二表面平行于所述基片的<100>晶軸，而所述漸變斜面(28)是沿所述基片(10)的<111>晶軸形成的。

8.如權利要求7所述的集成電路(30)，其特征在于：所述漸變斜面在與所述第二表面銜接時，至少部分地沿著實質上所述基片(10)的<311>晶軸(26)而形成。

9.如權利要求6所述的集成電路(30)，其特征在于：所述第一和第二表面之間的所述高度(12)在大約2微米到大約400微米之間。

10.如權利要求6所述的集成電路(30)，其特征在于：所述電路元件包括電子發射器(24)。

11.如權利要求6所述的集成電路(30)，其特征在于：它還包括設置在所述第二表面上并且密封所述集成電路(30)周邊的氣密密封環(18)。

12.如權利要求6所述的集成電路(30)，其特征在于：它還包括設置在所述基片(10)與所述一組連續的導電跡線(16)之間的介質層(14)。

13.一種經過微加工的系統(40，42，44，46，60，90)，它包括：

第一基片(10，30，30，83)，它具有包含電路元件的第一表面和從所述第一表面經過一段漸變斜面升高的第二表面，所述基片包括從所述第一表面延伸到所述第二表面的一組連續的導電跡線(16)。

第二基片(34，36，38，54，58，86)，它具有一組導電跡線(16)，所述第二基片與所述第一基片接合，使得所述第一基片的所述一組導電跡線與所述第二基片的所述一組導電跡線接觸而形成電連接。

14.如權利要求13所述的經過微加工的系統，其特征在于還包括密封所述接合的第一和第二基片的周邊的氣密封口(18，52，56)。

15.如權利要求14所述的經過微加工的系統，其特征在于：所述氣密封口是在接合所述第一和第二基片的過程中形成的。

16.如權利要求14所述的經過微加工的系統，其特征在于：所述第一基片的所述第一和第二表面之間的所述高度與所述第二基片形成開口區域，其中所述開口區域在形成所述氣密封口之前被抽成真空。

17.如權利要求13所述的經過微加工的系統，其特征在于：所述第二基片具有包含電路元件的第一表面和從所述第一表面升高的第二表面。

18.如權利要求17所述的經過微加工的系統，其特征在于：所述第二基片包括從所述第二基片的所述第一表面延伸到所述第二表面的一組導電跡線(16)。

19.如權利要求13所述的經過微加工的系統，其特征在于：所述第一基片(10)包括電子發射器(76)，而所述第二基片(58)是具有與所述電子發射器(76)對準的磷光材料圖案(74)的玻璃基片。

20.如權利要求13所述的經過微加工的系統，其特征在于還包括：

在所述第一基片(83)上的所述電路元件內形成的電子發射器(100)；

第三基片(84)，它與所述第二基片(86)接合并設置在所述第一基片與所述第二基片之間，所述第三基片包括能夠被寫和讀的媒體(88)，所述媒體固定在沿第一方向距所述第一基片的所述第一表面為第一距離之處；以及

電子電路(98)，它位于與所述第三基片上的所述媒體耦合的所述第二基片上，其中所述媒體能夠沿第二方向和第三方向設置在所述電子發射器下方。