[發明專利]薄膜晶體管平面顯示器面板的結構及其制造方法

有效

• 申請號: 02123087.0
• 申請日: 2002-06-13
• 公開（公告）號: CN1388406A
• 公開（公告）日: 2003-01-01
• 發明（設計）人: 石安
• 申請（專利權）人: 統寶光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/136
• 分類號: G02F1/136;H01L27/12
• 代理公司: 隆天國際專利商標代理有限公司
• 代理人: 高龍鑫,樓仙英

1、一種薄膜晶體管平面顯示器面板的結構，其特征在于，包含：

一透光基板；

一緩沖層，形成于該透光基板上；

一頂部柵極薄膜晶體管結構，形成于該緩沖層上，其包含一溝道區；以及

一遮光結構，該遮光結構的部分區域形成于該溝道區的下方區域，以避免該溝道區受該平面顯示器面板的一背光光源照射，且該緩沖層介于該遮光結構與該頂部柵極薄膜晶體管結構之間。

2、如權利要求1所述的薄膜晶體管平面顯示器面板的結構，其特征在于，該透光基板為一玻璃基板。

3、如權利要求1所述的薄膜晶體管平面顯示器面板的結構，其特征在于，該緩沖層選自氮化硅、氧化硅或是其組合所完成。

4、如權利要求1所述的薄膜晶體管平面顯示器面板的結構，其特征在于，該遮光結構以選自鉻、鉬、鎢等熔點高且不透光物質所完成。

5、如權利要求1所述的薄膜晶體管平面顯示器面板的結構，其特征在于，該頂部柵極薄膜晶體管結構包含：

一半導體層，形成于該緩沖層上，其包含該溝道層及一源/漏極結構；

一柵極絕緣結構，形成于該半導體層上；

一柵極導體結構，形成于該柵極絕緣結構上，且覆蓋于該溝道區的上方區域；

一介電層，形成于該柵極導體結構及該柵極絕緣結構上；

一導體接線結構，形成于該介電層上，且穿越部分該絕緣層與該柵極絕緣結構而與該源/漏極接觸；

其中該半導體層還包含一輕摻雜漏極結構，其形成于該溝道區的外圍區域，且該源/漏極結構系形成于該輕摻雜漏極結構的外圍區域。

6、如權利要求5所述的薄膜晶體管平面顯示器面板的結構，其特征在于，該半導體層為一多晶硅層。

7、一種薄膜晶體管平面顯示器面板的制造方法，其特征在于，包含下列步驟：

提供一透光基板；

于該透光基板上方依序形成一緩沖層及一頂部柵極薄膜晶體管結構；

于該透光基板上方形成一遮光結構，使該緩沖層介于該遮光結構與該頂部柵極薄膜晶體管結構之間，且該遮光結構的部分區域形成于該頂部柵極薄膜晶體管結構的溝道區的下方區域，以避免該溝道區受該平面顯示器面板的一背光光源照射。

8、如權利要求7所述的薄膜晶體管平面顯示器面板的制造方法，其特征在于，該頂部柵極薄膜晶體管結構的制造方法，包含下列步驟：

于該緩沖層上依序形成一半導體層及一光阻層，利用該遮光結構為光罩由下而上透過該透光基板對該光阻層進行曝光并去除曝過光的該光阻層；

以未曝光的該光阻層為罩幕，對該半導體層進行一重摻雜離子布植制造工藝而形成一薄膜晶體管的源/漏極結構；

于該半導體層上依序形成一柵極絕緣層及一第一導體層后，以一第二道光罩微影蝕刻制造工藝對該第一導體層定義出一薄膜晶體管的柵極導體結構；

于具有該柵極導體結構的該柵極絕緣層上方形成一介電層，以一第三道光罩微影蝕刻制造工藝對該柵極絕緣層及該介電層定義出一接觸孔；以及

于具有該接觸孔的該介電層上形成一第二導體層并以一第四光罩微影蝕刻制造工藝定義出一源/漏極接線結構。

9、如權利要求8所述的薄膜晶體管平面顯示器面板的制造方法，其特征在于，該頂部柵極薄膜晶體管結構的制造方法進一步包含下列步驟：

以該柵極導體結構為罩幕，對該柵極絕緣層進行一輕摻雜離子布植制造工藝而形成一輕摻雜漏極結構。

10、如權利要求7所述的薄膜晶體管平面顯示器面板的制造方法，其特征在于，該遮光結構的部分區域作為一黑色矩陣。