[發明專利]輕摻雜漏極結構的低溫多晶硅薄膜晶體管及其制作方法

有效

• 申請號: 02123086.2
• 申請日: 2002-06-13
• 公開（公告）號: CN1388590A
• 公開（公告）日: 2003-01-01
• 發明（設計）人: 石安
• 申請（專利權）人: 統寶光電股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;G02F1/136
• 代理公司: 隆天國際專利商標代理有限公司
• 代理人: 高龍鑫,樓仙英

1、一種應用于一液晶顯示器的具埋入式輕摻雜漏極結構的薄膜晶體管結構，其特征在于，包括：

一半導體層；

一絕緣層，覆蓋于該半導體層的一表面；

一第一重摻雜區及一第二重摻雜區，位于該半導體層內的該表面上且相距一第一長度；

一第一輕摻雜漏極區及一第二輕摻雜漏極區，位于該半導體層內部并與該表面間存在一間距，且該第一輕摻雜漏極與該第一重摻雜區相鄰，該第二輕摻雜漏極與該第二重摻雜區相鄰，而該第一輕摻雜漏極區及該第二輕摻雜漏極區之間形成一溝道，且該溝道具有一第二長度，其中該第一長度大于該第二長度；以及

一柵極導體，位于該絕緣層上，且覆蓋于該溝道所對應的區域。

2、如權利要求1所述的具埋入式輕摻雜漏極結構的薄膜晶體管結構，其特征在于，進一步包括：

一介質層，覆蓋于該柵極導體與該絕緣層上；以及

一漏極接線與一源極接線，貫穿絕緣層與該介質層分別與該第一重摻雜區與該第二重摻雜區接觸。

3、如權利要求1所述的具埋入式輕摻雜漏極結構的薄膜晶體管結構，其特征在于，該半導體層為一多晶硅層，該第一重摻雜區以及該第二重摻雜區分別為一第一N型重摻雜區以及一第二N型重摻雜區。

4、如權利要求1所述的具埋入式輕摻雜漏極結構的薄膜晶體管結構，其特征在于，該第一輕摻雜漏極區與該第二輕摻雜漏極區均具有濃度呈漸層分布的一月暈結構。

5、一種應用于一液晶顯示器上的具埋入式輕摻雜漏極結構的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括下列步驟：

提供一半導體結構，其中，該半導體結構具有一半導體層，覆蓋于該半導體層的一表面的一絕緣層，且該絕緣層上具有一柵極導體；

進行一第一離子摻雜程序，其中，是以一垂直于該表面的一第一入射方向來將至少一離子摻雜于該半導體層內的該表面；

進行一第二離子摻雜程序，其中，是以一第二入射方向來將該至少一離子摻雜于該半導體層內部并與該表面之間相距一第一間距；以及

進行一第三離子摻雜程序，其中，是以一第三入射方向來將該至少一離子摻雜于該半導體層內部并與該表面之間相距一第二間距。

6、如權利要求5所述的具埋入式輕摻雜漏極結構的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該半導體層為一多晶硅層，而該柵極導體周圍具有一側壁結構。

7、如權利要求5所述的具埋入式輕摻雜漏極結構的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該第二入射方向與該第三入射方向位于該第一入射方向的二側，該第二入射方向與該第一入射方向所形成的一角度在大于0度至30度之間，而該第三入射方向與該第一入射方向所形成的一角度在大于0度至30度之間。

8、一種應用于一液晶顯示器的具埋入式輕摻雜漏極結構的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括下列步驟：

提供一半導體層；

形成一罩幕覆蓋于部分該半導體層的一表面；

進行一第一離子摻雜程序，其中，是以一垂直于該表面的一第一入射方向來將至少一離子摻雜于該半導體層內的該表面；

移除該罩幕；

形成一絕緣層位于該表面上；

形成一柵極導體于該絕緣層表面上；

進行一第二離子摻雜程序，其中，是以一第二入射方向來將該至少一離子摻雜于該半導體層內部并與該表面之間相距一第一間距；以及

進行一第三離子摻雜程序，其中，是以一第三入射方向來將該至少一離子摻雜于該半導體層內部并與該表面之間相距一第二間距。

9、如權利要求8所述的具埋入式輕摻雜漏極結構的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該半導體層為一多晶硅層。

10、如權利要求8所述的具埋入式輕摻雜漏極結構的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該第二入射方向與該第三入射方向位于該第一入射方向的二側，該第二入射方向與該第一入射方向所形成的一角度在大于0度至30度之間，而該第三入射方向與該第一入射方向所形成的一角度在大于0度至30度之間。