[發(fā)明專(zhuān)利]制造具有驅(qū)動(dòng)集成電路的陣列襯底的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 02122123.5
• 申請(qǐng)日: 2002-05-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1389911A
• 公開(kāi)（公告）日: 2003-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁埈榮
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: LG.飛利浦LCD有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/84
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/84;H01L21/00;G02F1/136
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 李輝

1、一種制造具有驅(qū)動(dòng)集成電路的陣列襯底的方法，包括：

在襯底上形成第一和第二半導(dǎo)體層；

在第一和第二半導(dǎo)體層上淀積絕緣材料；

在絕緣材料上淀積金屬；

在金屬上形成第一光刻膠圖形，該第一光刻膠圖形正好在第一和第二半導(dǎo)體上；

通過(guò)刻蝕金屬，分別在第一和第二半導(dǎo)體層上形成第一和第二柵極，第一和第二柵極比第一光刻膠圖形窄；

通過(guò)刻蝕絕緣材料，分別在第一和第二半導(dǎo)體層上形成第一和第二絕緣體圖形，第一和第二絕緣體圖形具有與第一光刻膠圖形相等的寬度；

采用第一光刻膠圖形作為第一摻雜掩模，摻雜n+離子；

灰化第一光刻膠圖形，由此第一光刻膠圖形變成減小的第一光刻膠圖形，該減小的第一光刻膠圖形具有與第一和第二柵極相同的寬度；

用該減小的第一光刻膠圖形作為刻蝕掩模，刻蝕第一和第二絕緣體圖形；

用該減小的第一光刻膠圖形作為第二摻雜掩模，摻雜n^-離子；

在摻雜n^-離子之后去掉減小的第一光刻膠圖形；

形成覆蓋第一柵極和第一半導(dǎo)體層的第二光刻膠圖形；

用第二光刻膠圖形和第二柵極作為第三摻雜掩模，摻雜p⁺離子；和

摻雜p⁺離子之后去掉第二光刻膠圖形。

2、根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中p⁺離子的劑量大于n⁺離子的劑量。

3、根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中p⁺離子的劑量約為3×10¹⁵/cm²到4×10¹⁵/cm²。

4、根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中n⁺離子的劑量約為1×10¹⁵/cm²到2×10¹⁵/cm²。

5、根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中n^-離子的劑量約為10¹³/cm²。

6、根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在摻雜之后，第一半導(dǎo)體層包括有源層、n⁺源區(qū)和漏區(qū)、和在有源層和n⁺源區(qū)之間或在有源層和n⁺漏區(qū)之間的輕摻雜漏區(qū)。

7、根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在摻雜之后，第二半導(dǎo)體層包括有源層、p⁺源區(qū)和漏區(qū)。

8、根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一和第二半導(dǎo)體層是由SLS晶體硅構(gòu)成的。

9、一種制造具有驅(qū)動(dòng)集成電路的陣列襯底的方法，包括：

在襯底上形成第一和第二半導(dǎo)體層；

在第一和第二半導(dǎo)體層上淀積絕緣材料；

在絕緣材料上淀積金屬；

在金屬上形成第一光刻膠圖形，第一光刻膠圖形正好在第一和第二半導(dǎo)體上；

通過(guò)刻蝕金屬，分別在第一和第二半導(dǎo)體層上形成第一和第二柵極，第一和第二柵極比第一光刻膠圖形窄；

采用第一光刻膠圖形作為第一摻雜掩模，摻雜n⁺離子；

去掉第一光刻膠圖形；

用第一和第二柵極作為第二摻雜掩模，摻雜n^-離子；

形成覆蓋第一柵極和第一半導(dǎo)體層的第二光刻膠圖形；

用第二光刻膠圖形和第二柵極作為第三摻雜掩模，摻雜p⁺離子；和

摻雜p⁺離子之后去掉第二光刻膠圖形。

10、根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中p⁺離子的劑量大于n⁺離子的劑量。

11、根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中p⁺離子的劑量約為3×10¹⁵/cm²到4×10¹⁵/cm²。