[發明專利]半導體器件及其生產方法有效
| 申請號: | 02121344.5 | 申請日: | 2002-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN1392611A | 公開(公告)日: | 2003-01-22 |
| 發明(設計)人: | 真篠直寬;東光敏 | 申請(專利權)人: | 新光電氣工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L25/065 | 分類號: | H01L25/065;H01L25/07 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 | 代理人: | 于靜,李崢 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 及其 生產 方法 | ||
1.一種半導體器件,包含:
半導體基片;
在所述半導體基片一個表面上形成的電子元件;
在所述一個表面上形成的并與所述電子元件電連接的電極墊片,該電極墊片有一個延伸部分;
穿過所述電極墊片和所述半導體基片的通孔;
在至少是所述半導體基片的另一表面上、所述通孔的內壁以及包括所述延伸部分的電極墊片上形成的絕緣膜;
在所述電極墊片的延伸部分上的所述絕緣膜中提供的通路孔;
互連圖案,通過所述通孔和所述通路孔把所述電極墊片電引導到所述半導體基片的另一表面;以及
所述通孔在穿過所述電極墊片部分的直徑大于穿過所述半導體基片部分的直徑。
2.如權利要求1中提出的半導體器件,其中所述互連圖案還把所述電極墊片電引導到所述半導體基片的一個表面。
3.一個半導體模塊,包含多個如權利要求2中提出的半導體器件,它們疊加在一起,并通過外部連接端子使每個底半導體器件和頂半導體器件的相對表面的互連圖案電連接。
4.如權利要求1中提出的半導體器件,其中所述通孔以導體填充,該導體與所述互連圖案電連接。
5.一個半導體模塊,包含多個如權利要求4中提出的半導體器件,它們疊加在一起,并通過外部連接端子使每個底半導體器件和頂半導體器件的相應通孔中填充的導體電連接。
6.一種生產半導體器件的方法,包含如下步驟:
在半導體基片的一個表面上形成電子元件;
在該半導體基片的所述一個表面上形成與所述電子元件電連接的電極墊片,該電極墊片有一個延伸部分;
通過形成圖案在所述電極墊片中形成第一開口;
通過所述第一開口發射激光束,從而在包括所述電子元件的所述半導體基片中形成第二開口,該激光束的直徑小于所述第一開口的直徑,于是由所述第一開口和所述第二開口確定一個通孔;
在至少是所述半導體基片的另一表面,所述通孔的內壁以及包括所述延伸部分的電極墊片上形成絕緣膜;
通過對所述絕緣膜形成圖案形成通路孔,以暴露所述電極墊片的所述延伸部分的一部分;
在所述絕緣膜上和所述通路孔中形成導體膜;以及
通過對所述導體層形成圖案形成互連圖案,該互連圖案把所述電極墊片經由所述通孔和所述通路孔電引導到所述半導體基片的另一表面。
7.如權利要求6中提出的生產半導體器件的方法,其中形成第一開口的步驟和形成第二開口的步驟在它們之間包括一個研磨該半導體基片另一表面的步驟,以減小該半導體基片的厚度。
8.如權利要求6中提出的生產半導體器件的方法,其中形成通路孔的步驟是由激光束在所述絕緣膜上開口形成的。
9.如權利要求6中提出的生產半導體器件的方法,其中通過形成所述互連圖案的步驟形成所述互連圖案,從而也把所述電極墊片電引導到所述半導體基片的所述一個表面。
10.一種生產半導體模塊的方法,包含如下步驟:
準備多個由權利要求9中提出的方法生產的半導體器件,以及
通過外部連接端子電連接所述半導體器件的互連圖案,從而把所述半導體器件疊加成多層。
11.如權利要求6中提出的生產半導體器件的方法,包括形成所述導體膜后以導體填充所述通孔的步驟,該導體與所述導體膜電連接。
12.一種生產半導體模塊的方法,包含如下步驟:
準備多個如權利要求11中提出的方法生產的半導體器件,以及
通過外部連接端子電連接從所述多個半導體器件相應通孔的開口暴露出來的導體,從而把所述半導體器件疊加成多層。
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