[發(fā)明專利]磁記錄元件、磁存儲器、磁記錄方法、用于制作磁記錄元件的方法以及用于制作磁存磁存儲器的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 02120239.7
• 申請日: 2002-05-21
• 公開（公告）號: CN1387195A
• 公開（公告）日: 2002-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 武笠幸一;澤村誠;末岡和久;廣田榮一;中根了昌;中村基訓(xùn)
• 申請（專利權(quán)）人: 北海道大學(xué)
• 主分類號: G11C11/15
• 分類號: G11C11/15
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 李德山

1.一種磁記錄元件，包括：

第一磁膜，用于通過外部磁場生成旋轉(zhuǎn)渦流，以及

第二磁膜，在所述第一磁膜上，在其中央具有實質(zhì)上垂直于其表面的磁化。

2.如權(quán)利要求1所述的磁記錄元件，其中所述第一磁膜以圓盤形形成。

3.如權(quán)利要求1所述的磁記錄元件，其中所述第一磁膜由坡莫合金組成。

4.如權(quán)利要求1所述的磁記錄元件，其中所述第一磁膜的直徑被設(shè)置在0.05-50μm范圍內(nèi)。

5.如權(quán)利要求1所述的磁記錄元件，其中所述第一磁膜的厚度被設(shè)置為1μm或以下。

6.如權(quán)利要求1所述的磁記錄元件，其中所述第二磁膜由Co組成。

7.如權(quán)利要求1所述的磁記錄元件，其中所述第二磁膜的厚度被設(shè)置為1μm或以下。

8.如權(quán)利要求1所述的磁記錄元件，進一步包括在所述第一磁膜和所述第二磁膜之間的絕緣膜。

9.如權(quán)利要求8所述的磁記錄元件，其中所述絕緣層的厚度設(shè)置在1-10nm范圍內(nèi)。

10.一種磁存儲器，包括如權(quán)利要求1-9中任何一個所述的多個磁記錄元件，所述多個磁記錄元件被配置在平面中一指定基片上。

11.如權(quán)利要求10所述的磁存儲器，進一步包括配置一些導(dǎo)線以便分別環(huán)繞所述磁記錄元件。

12.一種磁記錄方法，包括步驟：

在平面中在一指定基片上配置多個如權(quán)利要求1-9中任何一個所述的磁記錄元件，

在所述基片上配置許多導(dǎo)線以便分別環(huán)繞所述磁記錄元件，

在正向方流，并因此在至少一個所述磁記錄元件中生成一正向磁化，以及

在所述正向磁化上可磁化地寫入指定數(shù)據(jù)。

13.如權(quán)利要求12所述的磁記錄方法，進一步包括步驟：

在所述至少一根導(dǎo)線中在與所述正向方向相反的反向方向中流過電流，以便生成反向向后的旋轉(zhuǎn)渦流并因此在所述至少一個磁記錄元件中生成反向的磁化，該磁化與所述正向的磁化相反，以及

在所述反向磁化上可磁化地重新寫入所述已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)。

14.一種用于制作磁記錄元件的方法，包括步驟：

在指定基片上均勻地形成電阻膜，

暴露并擴展所述電阻膜來制作具有孔的抗蝕圖，在該孔處，所述基片的主表面被暴露，以及

經(jīng)所述抗蝕圖，依次形成通過外部磁場生成旋轉(zhuǎn)渦流的第一磁膜以及具有垂直于其表面的磁化的第二磁膜，來制作在所述孔內(nèi)包括所述第一磁膜和所述第二磁膜的磁記錄元件。

15.如權(quán)利要求14所述的制作方法，進一步包括在所述第一磁膜和所述第二磁膜之間形成一絕緣層的步驟。

16.一種用于制作磁存儲器的方法，包括步驟：

在指定基片上均勻地形成電阻膜，

暴露并擴展所述電阻膜，來制作具有多個孔的抗蝕圖，在這些孔處，所述基片的主表面被暴露，以及

經(jīng)所述抗蝕圖，依次形成通過外部磁場生成旋轉(zhuǎn)渦流的第一磁膜以及具有在其中央垂直于其表面的磁化的第二磁膜，來分別制作在所述孔內(nèi)包括所述第一磁膜和所述第二磁膜的多個磁記錄元件。

17.如權(quán)利要求16所述的制作方法，進一步包括在所述第一磁膜和所述第二磁膜之間形成一絕緣層的步驟。

18.如權(quán)利要求16所述的制作方法，進一步包括形成許多導(dǎo)線以便分別環(huán)繞所述磁記錄元件的步驟。