[發明專利]高壓處理裝置和方法無效
| 申請號: | 02120051.3 | 申請日: | 2002-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN1387236A | 公開(公告)日: | 2002-12-25 |
| 發明(設計)人: | 溝端一國雄;村岡祐介;斉藤公続;北門龍治;井上陽一;坂下由彥;渡邉克充;山形昌弘 | 申請(專利權)人: | 日本網目版制造株式會社;株式會社神戶制鋼所 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/461;B08B3/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所 | 代理人: | 李玲 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高壓 處理 裝置 方法 | ||
1.一種采用高壓流體完成基板預定處理的高壓處理裝置,包括:
高壓流體供給部分,它用于將預定的處理流體轉變為高壓流體并提供高壓流體;
基板處理部分,它允許高壓流體供給部分所提供的高壓流體與基板相接觸來處理放置于處理腔中的基板;
高壓流體回收部分,在高壓流體用于處理在基板處理腔中的基板之后,該部分回收和重復使用高壓流體;
空氣替換流體供給部分,它用于向處理腔提供空氣替換流體,該空氣替換流體具有與高壓流體相同的成分;以及,
排出部分,它用于排出在處理腔中的氣體殘余物,
其中,在將基板放置于處理腔隨即關閉處理腔之后直至開始提供高壓流體的期間,空氣替換流體供給部分向處理腔提供空氣替換流體,以及排出部分利用所提供的空氣替換流體排斥出在處理腔中的氣體殘余物。
2.如權利要求1所述的高壓處理裝置,其特征在于:空氣替換流體供給部分提供被轉變為高壓流體前的處理流體作為空氣替換流體。
3.如權利要求1所述的高壓處理裝置,其特征在于:空氣替換流體供給部分向處理腔提供空氣替換流體直至將基板放置于處理腔且隨即關閉處理腔。
4.如權利要求1所述的高壓處理裝置,其特征在于:基板處理部分采用循環高壓流體來處理基板。
5.如權利要求1所述的高壓處理裝置,其特征在于:高壓流體供給部分所提供的高壓流體是超臨界流體。
6.一種采用高壓流體完成基板預定處理的高壓處理方法,包括:
在將要作處理的基板放置于處理腔后隨即關閉該處理腔之后,向處理腔提供空氣替換流體的步驟,空氣替換流體具有與高壓流體相同的成分;
利用提供空氣替換流體排斥出在處理腔中的氣體殘余的排出步驟;
將預定的處理流體轉變為高壓流體并提供高壓流體的步驟;
采用所提供的高壓流體來處理置于處理腔中的基板的步驟;
在高壓流體用于處理基板之后用于重復使用高壓流體的回收步驟;
7.如權利要求6所述的高壓處理方法,其特征在于:空氣替換流體是轉變為高壓流體之前的處理流體。
8.如權利要求6所述的高壓處理方法,進一步包括:向處理腔提供空氣替換流體直至基板放置于處理腔隨即關閉處理腔的步驟。
9.如權利要求6所述的高壓處理方法,其特征在于:處理基板的步驟是采用循環高壓流體來進行。
10.如權利要求6所述的高壓處理方法,其特征在于:在提供高壓流體的步驟中所提供的高壓流體是超臨界流體。
11.一種采用高壓流體處理要處理物體的高壓處理裝置,包括:
循環線,它用于以一個方向來循環高壓流體;
設置在在循環線中的處理部分,用于通過使用循環線所循環的高壓流體來處理待處理的物體,以及在處理之后將高壓流體返回循環線;
設置在循環線中的供給/排出開關切換部分,用于開關諸管道使得高壓流體再流入兩個管道中所選擇的至少一個管道,其中一個管道是向循環線供給高壓流體,而另一個管道則是從循環線中排出高壓流體;
供給管線,用于通過供給/排出開關切換部分向循環線提供高壓流體;
排出管線,用于從循環線中排出高壓流體;以及,
旁路管道,用于使來自供給/排出開關切換部分通過循環線所循環的高壓流體改向從而被提供給排出管線;
其中:當處理待處理的物體時,從供給管線所提供的高壓流體通過循環線循環,以及
當清潔循環線時,供給/排出開關切換部分開關切換諸管道使得從供給管線所提供的高壓流體在其經過循環線完成一次循環之后毫無殘余地通過旁路管道流入排出管線。
12.如權利要求11所述的高壓處理裝置,其特征在于:循環線進一步包括設置在處理部分入口側的化學試劑混合部分,操作該化學試劑混合部分向循環線提供來自將化學試劑供給部分的化學試劑而不是高壓流體。
13.如權利要求11所述的高壓處理裝置,其特征在于:循環線進一步包括用于加熱通過循環線所循環的高壓流體的加熱部分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





