[發明專利]聚合物合成和由聚合物制得的膜無效
| 申請號: | 02119072.0 | 申請日: | 2002-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN1384123A | 公開(公告)日: | 2002-12-11 |
| 發明(設計)人: | R·H·戈爾;M·K·加拉格爾;Y·尤 | 申請(專利權)人: | 希普雷公司 |
| 主分類號: | C08F20/06 | 分類號: | C08F20/06;C08F2/04;C08L33/00;C08K5/00;B32B27/30 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 陳季壯 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聚合物 合成 | ||
1.一種制備多數交聯溶液聚合物粒子的方法,包括下列步驟:a)提供包括一種或多種單體,和一種或多種交聯劑的單體進料;b)提供包括聚合引發劑的聚合引發劑進料;c)提供含有一種或多種反應溶劑的反應容器;d)加熱一種或多種反應溶劑到足夠激活聚合引發劑的溫度;和e)以一定的速率將引發劑進料和單體進料加入到反應容器中,以使一種或多種單體在一種或多種反應溶劑中的濃度基本上不變。
2.根據權利要求1所述的方法,其中單體進料和聚合物引發劑進料在加入到反應容器中之前混合。
3.根據權利要求1~2的任一項所述的方法,其中聚合物引發劑是自由基引發劑。
4.根據權利要求1~3的任一項所述的方法,其中至少一種單體選自:(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸鏈烯基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯、乙烯基芳族單體、含氮的化合物、含氮的化合物的硫代類似物或取代的乙烯單體。
5.根據權利要求1~4的任一項所述的方法,其中交聯聚合物粒子的平均粒子尺寸為0.75~100nm。
6.根據權利要求1~5的任一項所述的方法,其中一種或多種交聯劑選自:三乙烯基苯、二乙烯基甲苯、二乙烯基吡啶、二乙烯基萘和二乙烯基二甲苯;和如二丙烯酸乙二醇酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二乙二醇二乙烯基醚、三乙烯基環己烷、甲基丙烯酸烯丙酯、二甲基丙烯酸乙二醇酯、二甲基丙烯酸二乙二醇酯、二甲基丙烯酸丙二醇酯、二丙烯酸丙二醇酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、二乙烯基苯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、2,2-二基丙烷1,3-二丙烯酸酯、二丙烯酸1,3-丁二醇酯、二甲基丙烯酸1,3-丁二醇酯、二丙烯酸1,4-丁二醇酯、二丙烯酸二乙二醇酯、二甲基丙烯酸二乙二醇酯、二丙烯酸1,6-己二醇酯、二甲基丙烯酸1,6-己二醇酯、二丙烯酸三丙二醇酯、二甲基丙烯酸三乙二醇酯、二丙烯酸四乙二醇酯、聚乙二醇200甲基丙烯酸酯、二甲基丙烯酸四乙二醇酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯、二丙烯酸乙氧基化雙酚A酯、二甲基丙烯酸乙氧基化雙酚A酯、聚乙二醇600二甲基丙烯酸酯、聚(丁二醇)二丙烯酸酯、三丙烯酸季戊四醇酯、三羥甲基丙烷丙氧基化物三丙烯酸酯、三丙烯酸甘油丙氧酯、四丙烯酸季戊四醇酯、四甲基丙烯酸季戊四醇酯、單羥基五丙烯酸二季戊四醇酯、二乙烯基硅烷、三乙烯基硅烷、二甲基二乙烯基硅烷、二乙烯基甲基硅烷、甲基三乙烯基硅烷、二苯基二乙烯基硅烷、二乙烯基苯基硅烷、三乙烯基苯基硅烷、二乙烯基甲基苯基硅烷、四乙烯基硅烷、二甲基乙烯基二硅氧烷、聚(甲基乙烯基硅氧烷)、聚(乙烯基氫硅氧烷)或聚(苯基乙烯基硅氧烷)。
7.一種多個交聯溶液聚合物粒子,其中聚合物粒子的平均粒子尺寸≤30nm,粒子尺寸多分散性為1~15。
8.一種多數平均粒子尺寸≤10nm的交聯溶液聚合物粒子,其中多數聚合物粒子基本上沒有粒子尺寸為30nm或更大的聚合物粒子。
9.一種組合物,包括一種或多種B-態介電材料和多數平均粒子尺寸≤30nm、粒子尺寸多分散性為1~15的交聯溶液聚合物粒子。
10.一種組合物,包括一種或多種B-態介電材料和多數平均粒子尺寸≤10nm的交聯溶液聚合物粒子,其中多數聚合物粒子的基本上沒有粒子尺寸為30nm或更大的聚合物粒子。
11.一種多孔介電基體材料,包括多數平均粒子尺寸≤5nm的孔。
12.一種電子器件,包括一層或多層介電基體材料,該材料含有多數平均直徑≤5nm的孔。
13.一種制造電子器件的方法,包括以下步驟:a)在基材上沉積組合物層,組合物包括B-態介電材料,這種材料的多數交聯溶液聚合物成孔劑分散在該介電材料中,其中該聚合物成孔劑的平均粒子尺寸≤5nm;b)在基本上沒有除去成孔劑的條件下固化該B-態介電材料以形成介電基體材料;c)在基本上沒有降解該介電材料的條件下將該介電材料放在至少部分除去成孔劑的條件下以形成多孔介電材料層;d)使介電層上形成圖案;e)在帶圖案的介電層上沉積一層金屬膜;和f)平整膜以形成電子器件。
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