[發明專利]顯影方法和圖像形成裝置

無效

• 申請號: 02118981.1
• 申請日: 2002-05-10
• 公開（公告）號: CN1385762A
• 公開（公告）日: 2002-12-18
• 發明（設計）人: 古川和彥;巖松正;平川弘幸;豐島哲朗
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G03G15/08
• 分類號: G03G15/08
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 顧峻峰

1.一種使用圖像形成裝置實現的顯影方法，所述圖像形成裝置包括：一靜電潛像載體，所述靜電潛像載體承載一靜電潛像；以及一顯影劑載體，所述顯影劑載體在其表面處承載一顯影劑，并且在顯影區域處面向所述靜電潛像載體，其中，在顯影特征下實現顯影，所述特征是使所述靜電潛像載體與所述顯影劑載體之間的電位差增加的顯影密度的增加比率在所述電位差較小的區域與所述電位差較大的區域之間各不相同，電位差較小的區域處的所述顯影密度的增加比率小于電位差較大的區域處的所述顯影密度的增加比率，顯影密度的增加比率較小的區域處的所述顯影密度的上限是至少0.3。

2.如權利要求1所述的顯影方法，其特征在于，在顯影特征下實現顯影，所述特征是在所述顯影密度的增加比率較小的區域處的所述顯影密度的上限是至少0.5。

3.一種使用圖像形成裝置實現的顯影方法，所述圖像形成裝置包括：一靜電潛像載體，所述靜電潛像載體承載一靜電圖像；以及一顯影劑載體，所述顯影劑載體在其表面處承載一顯影劑，并且面向所述靜電潛像載體，其中，使用顯影密度增加比率較小的顯影劑實現顯影，以使所述靜電潛像載體與所述顯影劑載體之間的電位差增加，然后使用顯影密度增加比率更大的顯影劑實現顯影，以使電位差增加。

4.一種圖像形成裝置，它包括：一靜電潛像載體，所述靜電潛像載體承載一靜電潛像；以及第一和第二顯影劑載體，所述顯影劑載體分別在其表面處承載一顯影劑，并且在顯影區域處面向所述靜電潛像載體，其中，使所述第一顯影劑載體與所述靜電潛像載體之間的電位差增加的顯影密度的增加比率小于使所述第二顯影劑載體與所述靜電潛像載體之間的電位差增加的顯影密度的增加比率，所述第一顯影劑載體沿所述靜電潛像載體的移動方向位于所述第二顯影劑載體的上游。

5.如權利要求4所述的圖像形成裝置，其特征在于，所述第一顯影劑載體上的顯影劑的比電荷大于所述第二顯影劑載體上的顯影劑的比電荷。

6.如權利要求5所述的圖像形成裝置，其特征在于，所述圖像形成裝置還包括一電荷發生裝置，所述電荷發生裝置通過將單極電荷施加于所述第一顯影劑載體上的顯影劑與所述第二顯影劑載體上的顯影劑中的至少一個，以便施加所需程度的電荷。

7.如權利要求6所述的圖像形成裝置，其特征在于，所述第一顯影劑載體的電阻值小于所述第二顯影劑載體的電阻值。

8.一種圖像形成裝置，它包括：一靜電潛像載體，所述靜電潛像載體承載一靜電潛像；以及一顯影劑載體，所述顯影劑載體在其表面承載一顯影劑，并且在顯影區域面向所述靜電潛像載體，其中，在單個所述顯影劑載體上形成使所述靜電潛像載體與所述顯影劑載體之間的電位差增加的、顯影密度的增加比率較小的顯影劑，以及使電位差增加的、顯影密度的增加比率較大的顯影劑。

9.如權利要求8所述的圖像形成裝置，所述圖像形成裝置還包括一電荷發生裝置，所述電荷發生裝置將單極的電荷施加于所述顯影劑載體上的顯影劑，

其特征在于，所述顯影劑載體包括沿所述顯影劑載體的移動方向交替設置的一高電阻部分和一低電阻部分。

10.如權利要求8所述的圖像形成裝置，所述圖像形成裝置還包括一電荷發生裝置，所述電荷發生裝置將單極的電荷施加于所述顯影劑載體上的顯影劑，

其特征在于，所述顯影劑載體包括沿所述顯影劑載體的移動方向交替設置的一高靜電電容部分和一低靜電電容部分。

11.如權利要求8所述的圖像形成裝置，所述圖像形成裝置還包括一電荷發生裝置，所述電荷發生裝置將單極的電荷施加于所述顯影劑載體上的顯影劑，以及

一可移動的支承元件，所述支承元件在一平面處與所述顯影劑載體接觸，所述平面與所述顯影劑載體面向所述電荷發生裝置的平面相對，

其特征在于，所述支承元件包括兩組沿所述支承元件的移動方向設置的電極模式，將不同的電壓施加于所述兩組電極模式。

12.如權利要求8所述的圖像形成裝置，其特征在于，所述顯影劑載體上承載的顯影劑是兩組具有不同的平均顆粒尺寸的顯影劑的混合物，與平均顆粒尺寸較大的所述顯影劑組相比，平均顆粒尺寸較小的所述顯影劑組具有更高的流動性。