[發明專利]無電解銅電鍍液和高頻電子元件

無效

• 申請號: 02118658.8
• 申請日: 2002-04-24
• 公開（公告）號: CN1384222A
• 公開（公告）日: 2002-12-11
• 發明（設計）人: 加納修;吉田健二
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: C23C18/38
• 分類號: C23C18/38;H01P11/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 沈昭坤

1.一種無電解銅電鍍液，其特征在于，包括：

銅鹽；

鎳鹽；

甲醛或其衍生物；和

酒石酸或酒石酸鹽。

2.如權利要求1所述的無電解銅電鍍液，其特征在于，鎳、銅離子克分子含量之比約為0.0001～0.015。

3.如權利要求2所述的無電解銅電鍍液，其特征在于，鎳、銅離子克分子含量之比約為0.0001～0.01。

4.如權利3所述的無電解銅電鍍液，其特征在于，鎳、銅離子克分子含量之比約為0.0005～0.05。

5.如權利要求4所述的無電解銅電鍍液，其特征在于，所述鎳、銅鹽為硫酸鹽。

6.如權利要求5的無電解銅電鍍液，其特征在于，酒石酸或酒石酸鹽是羅謝爾鹽。

7.如權利要求2所述的無電解銅電鍍液，其特征在于，所述鎳、銅鹽是硫酸鹽。

8.如權利要求7所述的無電解銅電鍍液，其特征在于，酒石酸或酒石酸鹽是羅謝爾鹽。

9.如權利要求1所述的無電解銅電鍍液，其特征在于，所述鎳、銅鹽是硫酸鹽。

10.如權利要求9所述的無電解銅電鍍液，其特征在于，所述酒石酸或酒石酸鹽是羅謝爾鹽。

11.一種在支架上含有銅鍍膜的高頻電子元件，其特征在于，所述銅鍍膜用權利要求6所述的電鍍銅溶液電鍍形成。

12.一種在支架上含有銅鍍膜的高頻電子元件，其特征在于，所述銅鍍膜用權利要求2所述的電鍍銅溶液電鍍形成。

13.一種在支架上含有銅鍍膜的高頻電子元件，其特征在于，所述銅鍍膜用權利要求1所述的電鍍銅溶液電鍍形成。

14.一種高頻電子元件，其特征在于，包括：

有一表面的陶瓷；和

所述陶瓷表面上的金屬膜；

其中金屬膜包括含鎳的銅，鎳與銅的克分子含量之比約為0.0001～0.015。

15.如權利要求14所述的高頻電子元件，其特征在于，所述金屬膜包括含鎳的銅，鎳與銅的克分子含量之比約為0.0001～0.01。

16.如權利要求15所述的高頻電子元件，其特征在于，所述金屬膜包括含鎳的銅，鎳與銅的克分子含量之比約為0.0005～0.05。

17.一種形成權利要求16所述的高頻電子元件的方法，其特征在于，包括在一種通氣的溶液中對陶瓷作無電鍍，所述溶液含有銅鹽、鎳鹽、甲醛或其衍生物和酒石酸或酒石酸鹽，其中鎳與銅離子的克分子含量之比約為0.0005～0.05，通氣速率約為0.2～0.4升/分鐘。

18.一種形成權利要求15所述的高頻電子元件的方法，其特征在于，包括在一種通氣的溶液中對陶瓷作無電鍍，所述溶液含有銅鹽、鎳鹽、甲醛或其衍生物和酒石酸或酒石酸鹽，其中鎳與銅離子的克分子含量之比約為0.0001～0.015，通氣速率約為0.1～0.5升/分鐘。

19.一種形成權利要求14所述的高頻電子元件的方法，其特征在于，包括在一種通氣的溶液中對陶瓷作無電鍍，所述溶液含有銅鹽、鎳鹽、甲醛或其衍生物和酒石酸或酒石酸鹽，其中鎳與銅離子的克分子含量之比約為0.0001～0.015，通氣速率約0.1～0.5升/分鐘。

20.一種形成權利要求19所述的高頻電子元件的方法，其中陶瓷在無電鍍之前已腐蝕。