[發明專利]具有動態老化測試功能的單片機及其動態老化測試方法

無效

• 申請號: 02118613.8
• 申請日: 2002-04-25
• 公開（公告）號: CN1383156A
• 公開（公告）日: 2002-12-04
• 發明（設計）人: 上村亮平
• 申請（專利權）人: 日本電氣株式會社
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00;G11C16/06;G06F11/22
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 穆德駿,方挺

1.一種單片機，包括：

非易失性半導體存儲裝置(11A，11B)；

寫入、讀出和擦除電路(12A、12B、13A、13B、14A、14B)，與所述非易失性半導體存儲裝置相連，用于對所述非易失性半導體存儲裝置分別執行寫入操作、讀出操作和擦除操作；

接口(16A，16B)；

序列發生器，連接在所述寫入、讀出和擦除電路與所述接口之間，用于通過所述接口從外部接收第一數據并把所述第一數據寫入所述非易失性半導體存儲裝置中，從所述非易失性半導體存儲裝置讀出所述第一數據以把所述第一數據與通過所述接口從外部讀取的第二數據進行比較，由此執行對所述非易失性半導體存儲裝置的驗證，從所述非易失性半導體存儲裝置讀出第三數據，并通過所述接口把第三數據傳輸到外部。

2.如權利要求1所述的單片機，其特征在于，把測試程序寫入所述非易失性半導體存儲裝置以利用所述測試程序來操作所述單片機，

在所述單片機運行之后和在所述第一數據被寫入所述非易失性半導體存儲裝置之前，所述序列發生器使得所述擦除電路執行對所述非易失性半導體存儲裝置的快速擦除操作。

3.如權利要求1所述的單片機，其特點在于，所述序列發生器包括：

地址生成器(151，152)，連接在所述接口與所述寫入和讀出電路之間，用于從所述接口接收中斷信號(INT)以生成地址(ADD)并把所述地址傳送到所述寫入和讀出電路；和

錯誤檢測單元(153、154、155、156)，與所述讀出電路和所述接口相連，用于把所述第一數據與所述第二數據進行比較，以在所述第一數據與所述第二數據不一致時產生錯誤信號(ERA，ERB)。

4.如權利要求1所述的單片機，其特征在于，所述序列發生器包括模式解碼器(157)，與所述寫入、讀出和擦除電路相連，用于從外部接收模式信號(MDA，MDB)以操作所述寫入、讀出和擦除電路。

5.如權利要求1所述的單片機，其特征在于，所述序列發生器包括“或”邏輯電路(158)，與所述讀出電路和所述接口相連，用于對從所述讀出電路讀出的所述第一數據和從所述接口讀出的所述第二數據執行“或”邏輯運算，并通過所述接口把所述“或”邏輯運算的結果傳送到外部。

6.如權利要求1所述的單片機，其特征在于，所述序列發生器包括邏輯電路(161)，與所述寫入電路相連，用于在所述寫入和讀出電路運行時產生“0”邏輯信號并通過所述接口把所述“0”邏輯信號傳送到外部。

7.如權利要求3所述的單片機，其特征在于，所述序列發生器包括邏輯電路(159，160)，與所述讀出電路、所述錯誤檢測電路和所述接口相連，用于在所述錯誤信號未產生時對從所述讀出電路讀出的所述第一數據和從所述接口讀出的所述第二數據執行第一“或”邏輯運算以通過所述接口把所述第一“或”邏輯運算的結果傳送到外部，并且還用于對“0”邏輯信號和從所述接口讀出的所述第二數據執行第二“或”邏輯運算以把所述第二“或”邏輯運算的結果傳送到外部，

在所述錯誤信號產生之后，所述序列發生器使得所述擦除電路執行對所述半導體存儲裝置的快速擦除操作。

8.一種單片機，包括：

非易失性半導體存儲裝置(11A，11B)；

寫入、讀出和擦除電路(12A、12B、13A、13B、14A、14B)，與所述非易失性半導體存儲裝置相連，用于對所述非易失性半導體存儲裝置分別執行寫入操作、讀出操作和擦除操作；

接口(16A，16B)；

序列發生器裝置，用于通過所述接口從外部接收第一數據以把所述第一數據寫入所述非易失性半導體存儲裝置中，從所述非易失性半導體存儲裝置讀出所述第一數據以把所述第一數據與通過所述接口從外部讀出的第二數據進行比較，由此執行對所述非易失性半導體存儲裝置的驗證，從所述非易失性半導體存儲裝置讀出第三數據，并通過所述接口把第三數據傳輸到外部。

9.如權利要求8所述的單片機，其特征在于，測試程序被寫入所述非易失性半導體存儲裝置中，以利用所述測試程序來操作所述單片機，

在所述單片機運行之后和在所述第一數據被寫入所述非易失性半導體存儲裝置之前，所述序列發生器裝置使得所述擦除電路執行對所述非易失性半導體存儲裝置的快速擦除操作。