[發(fā)明專利]光信息記錄介質(zhì)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 02118520.4 | 申請日： | 2002-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN1383143A | 公開（公告）日： | 2002-12-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 角田毅;齊藤真二;石田壽男 | 申請（專利權(quán)）人： | 富士膠片株式會社 |
| 主分類號： | G11B7/24 | 分類號： | G11B7/24;C09B47/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 信息 記錄 介質(zhì) | ||
1、一種光記錄介質(zhì)，是使用450nm以下的激光和數(shù)值孔徑(NA)0.7以上的物鏡進行記錄再現(xiàn)的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在形成了軌道間距為200～400nm、槽深為50～150nm、槽半值寬度為90～200nm的凹槽的基板上，依次設(shè)置有反射層、記錄層和覆蓋層，且前述記錄層含有在600～800nm和300～400nm分別具有極大吸收在1以上的有機物。
2、權(quán)利要求1記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述有機物是選自花青苷類有機物、氨基丁二烯類有機物、苯并三唑類有機物、酞菁類有機物和玫紅花青苷類有機物的有機物。
3、權(quán)利要求1記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述有機物是在600～700nm和300～400nm分別具有極大吸收在1以上的酞菁有機物。
4、權(quán)利要求1記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述基板是聚碳酸酯。
5、權(quán)利要求1記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述反射層含有選自Au和Ag的貴金屬。
6、權(quán)利要求1記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述槽的深度為60～110nm。
7、一種光記錄介質(zhì)，是使用450nm以下的激光和數(shù)值孔徑(NA)0.5以上0.7以下的物鏡進行記錄再現(xiàn)的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在形成了軌道間距為200～400nm、槽深為50～150nm、槽半值寬度為90～200nm的凹槽的基板上，依次設(shè)置記錄層和反射層，且前述記錄層含有在600～800nm和300～400nm分別具有極大吸收在1以上的有機物。
8、權(quán)利要求7記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述有機物是選自花青苷類有機物、氨基丁二烯類有機物、苯并三唑類有機物、酞菁類有機物和玫紅花青苷類有機物的有機物。
9、權(quán)利要求7記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述有機物是在600～700nm和300～400nm分別具有極大吸收在1以上的酞菁有機物。
10、權(quán)利要求7記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述基板是聚碳酸酯。
11、權(quán)利要求7記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述反射層含有選自Au和Ag的貴金屬。
12、權(quán)利要求7記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述槽的深度為80～120nm。
13、一種光信息記錄介質(zhì)，是在基板上具有通過數(shù)值孔徑(NA)0.7以上的透鏡照射波長380～500nm的激光從而可記錄信息的記錄層的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，在前述基板上的反射層上的前述記錄層上設(shè)置有片材層，前述記錄層是含有有機物的層，且前述基板的槽深是15～45nm，軌道間距為250～400nm，槽半值寬度為60～200nm，槽的傾斜角為40～80°。
14、權(quán)利要求13記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述有機物是酞菁衍生物。
15、權(quán)利要求14記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述酞菁衍生物是下述式(I)所示的化合物，
通式(I)[式(I)中，R表示取代基，n表示1～8的整數(shù)，n是2以上的整數(shù)時，多個R可相互相同，也可不同，M表示2個氫原子、金屬、金屬氧化物或有配體的金屬。]
16、權(quán)利要求13記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述有機物是苯并三唑衍生物。
17、權(quán)利要求16記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述苯并三唑衍生物是下述式(II)所示的化合物，
通式(II)[式(II)中，h和k分別獨立地表示1～3的整數(shù)，R3和R4表示取代基，r和s表示0～3的整數(shù)，其中，h＝1且r0時，R3表示選自碳原子數(shù)2～16的烷基、碳原子數(shù)6～14的芳基、碳原子數(shù)7～15的芳烷基、碳原子數(shù)1～16的烷氧基、碳原子數(shù)6～14的芳氧基、碳原子數(shù)2～17的烷氧基羰基、碳原子數(shù)1～10的氨基甲酰基、碳原子數(shù)1～10的酰胺基、碳原子數(shù)2～17的酰基氧基和鹵素原子的取代基]。
18、權(quán)利要求13記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述基板的軌道間距在280～350nm的范圍。
19、權(quán)利要求13記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述基板的半值寬度在80～150nm的范圍。
20、權(quán)利要求13記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，前述基板的槽深在20～40nm的范圍。
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