[發(fā)明專利]有機發(fā)光元件和使用該元件的顯示設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 02118312.0 | 申請日： | 2002-02-01 |
| 公開（公告）號： | CN1378409A | 公開（公告）日： | 2002-11-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 瀨尾哲史;山崎舜平 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號： | H05B33/14 | 分類號： | H05B33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 羅朋,梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 有機 發(fā)光 元件 使用 顯示 設(shè)備 | ||
1.??一種有機發(fā)光元件，包括：
一個陽極；
一個陰極；和
一個提供在陽極和陰極之間的一有機化合物膜；
其中，有機化合物膜包括包含有空穴傳輸材料的空穴傳輸區(qū)域和包含有電子傳輸材料的電子傳輸區(qū)域；
其中在空穴傳輸區(qū)域和電子傳輸區(qū)域之間提供了包含有空穴傳輸材料和電子傳輸材料兩者的混合區(qū)域；和
其中用于展示來自三重激發(fā)態(tài)之紅色發(fā)光的材料被加到該混合區(qū)域。
2.一種有機發(fā)光元件，包括：
一個陽極；
一個陰極；
一個與陽極接觸的空穴注入?yún)^(qū)域；和
一個提供在空穴注入?yún)^(qū)域和陰極之間的有機化合物膜；
其中，有機化合物膜包括包含有空穴傳輸材料的空穴傳輸區(qū)域和包含有電子傳輸材料的電子傳輸區(qū)域；
其中在空穴傳輸區(qū)域和電子傳輸區(qū)域之間提供了包含有空穴傳輸材料和電子傳輸材料兩者的混合區(qū)域；和
其中用于展示來自三重激發(fā)態(tài)之紅色發(fā)光的材料被加到該混合區(qū)域。
3.一種有機發(fā)光元件，包括：
一個陽極；
一個陰極；
一個與陰極接觸的電子注入?yún)^(qū)域；和
一個提供在陰極和電子注入?yún)^(qū)域之間的有機化合物膜；
其中，有機化合物膜包括包含有空穴傳輸材料的空穴傳輸區(qū)域和包含有電子傳輸材料的電子傳輸區(qū)域；
其中在空穴傳輸區(qū)域和電子傳輸區(qū)域之間提供了包含有空穴傳輸材料和電子傳輸材料兩者的混合區(qū)域；和
其中用于展示來自三重激發(fā)態(tài)之紅色發(fā)光的材料被加到該混合區(qū)域。
4.一種有機發(fā)光元件，包括：
一個陽極；
一個陰極；
一個與陽極接觸的空穴注入?yún)^(qū)域；
一個與陰極接觸的電子注入?yún)^(qū)域；和
一個提供在空穴注入?yún)^(qū)域和空穴注入?yún)^(qū)域之間的有機化合物膜；
其中，有機化合物膜包括包含有空穴傳輸材料的空穴傳輸區(qū)域和包含有電子傳輸材料的電子傳輸區(qū)域；
其中在空穴傳輸區(qū)域和電子傳輸區(qū)域之間提供了包含有空穴傳輸材料和電子傳輸材料兩者的混合區(qū)域；和
其中用于展示來自三重激發(fā)態(tài)之紅色發(fā)光的材料被加到該混合區(qū)域。
5.權(quán)利要求1的有機發(fā)光元件，其中用于展示來自三重激發(fā)態(tài)之紅色發(fā)光的材料被加到該混合區(qū)域的一部分中。
6.權(quán)利要求2的有機發(fā)光元件，其中用于展示來自三重激發(fā)態(tài)之紅色發(fā)光的材料被加到該混合區(qū)域的一部分中。
7.權(quán)利要求3的有機發(fā)光元件，其中用于展示來自三重激發(fā)態(tài)之紅色發(fā)光的材料被加到該混合區(qū)域的一部分。
8.權(quán)利要求4的有機發(fā)光元件，其中用于展示來自三重激發(fā)態(tài)之紅色發(fā)光的材料被加到該混合區(qū)域的一部分。
9.權(quán)利要求1的有機發(fā)光元件，其中具有比空穴傳輸材料和電子傳輸材料更大的最高占有分子軌道和最低非占有分子軌道之間能差的阻擋材料被加到該混合區(qū)域。
10.權(quán)利要求2的有機發(fā)光元件，其中具有比空穴傳輸材料和電子傳輸材料更大的最高占有分子軌道和最低非占有分子軌道之間能差的阻擋材料被加到該混合區(qū)域。
11.權(quán)利要求3的有機發(fā)光元件，其中具有比空穴傳輸材料和電子傳輸材料更大的最高占有分子軌道和最低非占有分子軌道之間能差的阻擋材料被加到該混合區(qū)域。
12.權(quán)利要求4的有機發(fā)光元件，其中具有比空穴傳輸材料和電子傳輸材料更大的最高占有分子軌道和最低非占有分子軌道之間能差的阻擋材料被加到該混合區(qū)域。
13.權(quán)利要求1的有機發(fā)光元件，其中具有比空穴傳輸材料和電子傳輸材料更大的最高占有分子軌道和最低非占有分子軌道之間能差的阻擋材料被加到該混合區(qū)域的一部分。
14.權(quán)利要求2的有機發(fā)光元件，其中的具有比空穴傳輸材料和電子傳輸材料更大最高占有分子軌道和最低非占有分子軌道之間能差的阻擋材料被加到該混合區(qū)域的一部分。
15.權(quán)利要求3的有機發(fā)光元件，其中具有比空穴傳輸材料和電子傳輸材料更大的最高占有分子軌道和最低非占有分子軌道之間能差的阻擋材料被加到該混合區(qū)域的一部分。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會社半導(dǎo)體能源研究所，未經(jīng)株式會社半導(dǎo)體能源研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/02118312.0/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
