[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲裝置及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 02116124.0 | 申請日： | 2002-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN1383208A | 公開（公告）日： | 2002-12-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 梶山健 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L27/00 | 分類號： | H01L27/00;G11C11/15;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 王永剛 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 存儲 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體存儲裝置，具備：
半導(dǎo)體襯底；
與上述半導(dǎo)體襯底分離開來配置且由第1磁性層和第1非磁性層形成的第1磁阻效應(yīng)器件，上述第1磁性層和上述第1非磁性在對上述半導(dǎo)體襯底垂直的方向上形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，上述第1磁阻效應(yīng)器件跨接多個單元進(jìn)行連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，上述第1磁阻效應(yīng)器件一個單元一個單元地進(jìn)行分?jǐn)唷?/p>
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，還具備：
與上述半導(dǎo)體襯底分離開來進(jìn)行配置且在第1方向上延伸的第1布線；
與上述第1布線分離開來配置且在與第1方向不同的第2方向上延伸第2布線，上述第1磁阻效應(yīng)器件分別與上述第1和第2布線分離開來進(jìn)行配置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲裝置，上述第1磁阻效應(yīng)器件跨接多個單元進(jìn)行連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲裝置，上述第1磁阻效應(yīng)器件一個單元一個單元進(jìn)行分?jǐn)唷?/p>
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲裝置，還具備：與上述第2布線分離開來進(jìn)行配置且在上述第2方向上延伸的與上述第1磁阻效應(yīng)器件進(jìn)行連接的第3布線。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，還具備：
與上述半導(dǎo)體襯底分離開來配置且在第1方向上延伸的第1布線；
與上述第1布線分離開來配置且在與上述第1方向不同的第2方向上延伸的第2布線；
與上述第2布線設(shè)置有第1間隔地進(jìn)行配置且與上述第1布線分離開來配置的在上述第2方向上延伸的第4布線，上述第1磁阻效應(yīng)器件在上述第1間隔內(nèi)被配置為分別與上述第1、第2和第4布線分離開來。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲裝置，上述第1磁阻效應(yīng)器件跨接多個單元進(jìn)行連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲裝置，上述第1磁阻效應(yīng)器件一個單元一個單元地進(jìn)行分?jǐn)唷?/p>
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲裝置，還具備：被配置為與上述第2布線分離開來且在上述第2方向上延伸的與上述第1磁阻效應(yīng)器件進(jìn)行連接的第3布線。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，還具備：
被配置為與上述半導(dǎo)體襯底分離開來且在第1方向上延伸的第1布線；
被配置為與上述第1布線分離開來且在與上述第1方向不同的第2方向上延伸的第2布線；
被配置為與上述第2布線設(shè)置有第1間隔且被配置為與上述第1布線分離開來的在上述第2方向上延伸的第4布線，上述第1磁阻效應(yīng)器件在上述第1間隔內(nèi)被配置為分別與上述第1、第2和第4布線分離開來；
在上述第1間隔內(nèi)被設(shè)置為與上述第1、第2和第4布線以及上述第1磁阻效應(yīng)器件分離開來且用第2磁性層和第2非磁性層形成的第2磁阻效應(yīng)器件，上述第2磁性層和上述第2非磁性層在對上述半導(dǎo)體襯底垂直的方向上形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲裝置，上述第1和第2磁阻效應(yīng)器件跨接多個單元進(jìn)行連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲裝置，上述第1和第2磁阻效應(yīng)器件一個單元一個單元地進(jìn)行分?jǐn)唷?/p>
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲裝置，由上述第1磁性層和上述第1非磁性層形成的第1疊層構(gòu)造，與由上述第2磁性層和上述第2非磁性層形成的第2疊層構(gòu)造，以上述第1和第2磁阻效應(yīng)器件為邊界是線對稱的。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲裝置，還具備：被配置為與上述第2布線分離開來，在上述第2方向上延伸，與上述第1磁阻效應(yīng)器件進(jìn)行連接的第3布線。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲裝置，還具備配置在上述第1和第2磁阻效應(yīng)器件之間，連接到上述第1和第2磁阻效應(yīng)器件以及上述第1布線上的接觸。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體存儲裝置，上述第1和第2磁阻效應(yīng)器件、上述接觸的至少一方，跨接多個單元地進(jìn)行連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
