[發明專利]離子注入法制備AlN基稀釋磁性半導體材料的方法無效
| 申請號： | 02113088.4 | 申請日： | 2002-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN1383162A | 公開（公告）日： | 2002-12-04 |
| 發明（設計）人： | 張榮;徐劍;修向前;鄭有炓;顧書林;沈波;江若璉;施毅;韓平;朱順明;胡立群 | 申請（專利權）人： | 南京大學 |
| 主分類號： | H01F1/40 | 分類號： | H01F1/40;H01F41/00;H01L21/265 |
| 代理公司： | 南京知識律師事務所 | 代理人： | 陳建和 |
| 地址： | 210093*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 離子 注入 法制 aln 稀釋 磁性 半導體材料 方法 | ||
【權利要求書】：
1、離子注入法制備AlN基稀釋磁性半導體薄膜材料的方法，其特征是將磁性離子如Mn及Fe、Co或Ni等注入AlN半導體薄膜中，即用離子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性離子，然后在850-900℃、NH3氣氛條件下退火處理。
2、由權利要求1所述的離子注入法制備稀釋磁性半導體薄膜材料的方法，其特征是注入磁性離子的注入濃度每立方厘米在7×1020～2×1022。
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