[發(fā)明專利]一種外延生長用藍(lán)寶石襯底的鎵原子清洗的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 02112310.1
• 申請日: 2002-06-28
• 公開（公告）號: CN1395290A
• 公開（公告）日: 2003-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李愛珍;齊鳴;趙智彪;李偉
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 潘振甦

1.一種外延生長用藍(lán)寶石襯底的鎵原子清洗的預(yù)處理方法，包括經(jīng)化學(xué)濕法清洗的藍(lán)寶石襯底送入分子束外延生長室內(nèi)的樣品架上，其特征在于：

(1)經(jīng)900℃高溫?zé)嵬嘶鹬螅瑢⒁r底溫度降低至600℃～850℃范圍，反射式高能電子屏幕上出現(xiàn)清晰的藍(lán)寶石襯底衍射條紋；

(2)打開Ga源爐快門，Ga源溫度為850℃，使Ga原子束流噴射到藍(lán)寶石襯底表面；反射式高能電子衍射屏幕上的藍(lán)寶石襯底衍射條紋迅速消失；

(3)30-60秒后，關(guān)閉束源爐快門；

(4)升高藍(lán)寶石襯底的溫度至900℃，高溫下保持2～5分鐘，直至反射式高能電子衍射屏幕上再次出現(xiàn)清晰的藍(lán)寶石襯底衍射條紋；

(5)整個清洗過程，生長室處于～10^-8乇的高真空度狀態(tài)。

2.按權(quán)利要求1所述的外延生長用藍(lán)寶石襯底的鎵原子清洗的預(yù)處理方法，其特征在于所述900℃高溫退火時間為10分鐘。

3.按權(quán)利要求1所述的外延生長用藍(lán)寶石襯底的鎵原子清洗的預(yù)處理方法，其特征在于高溫退火后襯底溫度降至750℃，Ga原子束流噴射到藍(lán)寶石襯底表面蒸Ga時間為30秒。

4.按權(quán)利要求1或3所述的外延生長用藍(lán)寶石襯底的鎵原子清洗的預(yù)處理方法，其特征在于清洗次數(shù)以二次為最佳。

5.按權(quán)利要求1或3所述的外延生長用藍(lán)寶石襯底的鎵原子清洗的預(yù)處理方法，用于MBE技術(shù)生長的GaN及其他III-氮化物材料。