[發明專利]一種磁性多層膜中實現垂直各向異性的方法

無效

• 申請號: 02111172.3
• 申請日: 2002-03-27
• 公開（公告）號: CN1385865A
• 公開（公告）日: 2002-12-18
• 發明（設計）人: 周仕明;袁淑娟;王磊
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01F1/08
• 分類號: H01F1/08;H01F41/14;G11B5/84
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司
• 代理人: 陸飛

1、一種在磁性多層膜中實現垂直各向異性的方法，其特征在于利用鐵磁/反鐵磁多層膜中的垂直交換偏置實現垂直各向異性，具體步驟如下：在玻璃或硅的襯底上，用真空鍍膜方法交替沉積鐵磁/反鐵磁層構成調制結構多層膜，膜層的周期數為5-100，鐵磁層的厚度為0.1--10納米，反鐵磁層厚度為1-99納米；再在多層膜上覆蓋一層抗氧化層；然后對多層膜樣品進行磁場冷卻，其中外磁場的方向平行于膜面的法線方向，從高于反鐵磁層的奈爾溫度降到低于反鐵磁層的奈爾溫度，外加磁場需使得鐵磁層的磁化強度能夠沿法線方向飽和磁化。

2、根據權利要求1所述的在磁性多層膜中實現垂直各向異性的方法，其特征在于在沉積多層膜之前，在襯底上先沉積一層厚度為1-99納米的緩沖層，緩沖層采用能使得反磁鐵層實現交換偏置的材料。

3、根據權利要求1所述的在磁性多層膜中實現垂直各向異性的方法，其特征在于所述的磁鐵層為Fe、Co、Ni、稀土金屬及其合金。

4、根據權利要求1所述的在磁性多層膜中實現垂直各向異性的方法，其特征在于所述的反磁鐵層為能夠存在交換偏置的反磁鐵材料。

5、根據權利要求1所述的在磁性多層膜中實現垂直各向異性的方法，其特征在于緩沖層采用使反磁鐵層能夠實現交換偏置的材料，具體為Cu、Au、Ag、Ta及Cr之一種。

6、根據權利要求1所述的在磁性多層膜中實現垂直各向異性的方法，其特征在于抗氧化層采用Cu、SiO₂、Au、Ta之一種。