[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 02108311.8
• 申請日: 2002-03-28
• 公開（公告）號: CN1393937A
• 公開（公告）日: 2003-01-29
• 發明（設計）人: 高田和彥;菅谷慎二
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L29/788
• 分類號: H01L29/788;H01L27/115;H01L21/82
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1.一種半導體器件，包括：

構成浮柵下部的第一半導體膜，所述浮柵經由隧道絕緣膜形成在半導體襯底的器件形成區域上；

形成在第一半導體膜、隧道絕緣膜和半導體襯底中的器件隔離凹槽，與器件形成區域鄰接；

埋置在器件隔離凹槽中的器件隔離絕緣膜；

形成在第一半導體膜上的第二半導體膜，作為浮柵的上部，并且具有在橫向延伸的延伸部分，以使膜厚度從器件形成區域到器件隔離絕緣膜連續地減薄。

形成在第二半導體膜上的絕緣膜；

經由絕緣膜形成在浮柵上的控制柵。

2.根據權利要求1的半導體器件，其中，浮柵上部具有寬度比下部更寬的一部分。

3.根據權利要求1的半導體器件，其中，浮柵的上表面在從器件形成區域到器件隔離絕緣膜的方向具有彎曲的斜面。

4.根據權利要求1的半導體器件，其中，第一半導體膜和第二半導體膜分別由多晶硅形成。

5.根據權利要求1的半導體器件，其中，隧道絕緣膜由ONO膜形成。

6.一種半導體器件制造方法，包括以下工序：

在半導體襯底上形成隧道絕緣膜；

在隧道絕緣膜上形成第一半導體膜，構成浮柵下部；

通過腐蝕第一半導體膜的器件隔離區、隧道絕緣膜和半導體襯底，形成器件隔離凹槽；

在器件隔離凹槽中和第一半導體膜上形成器件隔離絕緣膜；

從第一半導體膜之上的區域去除該器件隔離絕緣膜，以及減薄器件隔離凹槽之上的器件隔離絕緣膜；

選擇性地生長第二半導體膜在第一半導體膜上用作浮柵上部，以及在器件隔離絕緣膜上生長第二半導體膜，從器件隔離絕緣膜橫向延伸；

在浮柵上形成絕緣膜；

在絕緣膜上形成導電膜用作控制柵。

7.根據權利要求6的半導體器件制造方法，其中，隧道絕緣膜由ONO膜形成。

8.根據權利要求6的半導體器件制造方法，其中進一步包括以下工序：

在形成器件隔離凹槽之前，在第一半導體膜上形成拋光終止膜；

通過腐蝕器件隔離區上形成的所述拋光終止膜，形成器件隔離凹槽的頂端；

通過拋光終止膜在第一半導體膜上形成器件隔離絕緣膜；

拋光器件隔離絕緣膜，從拋光終止膜頂面去除，并且減薄器件隔離凹槽之上的器件隔離絕緣膜；

在生長第二半導體膜之前去除該拋光終止膜。

9.根據權利要求8的半導體器件制造方法，其中，第一半導體膜和第二半導體膜分別由多晶硅形成，并且拋光終止膜由氮化硅膜形成。

10.根據權利要求8的半導體器件制造方法，進一步包括以下工序，在從拋光終止膜上表面去除器件隔離絕緣膜之后，但是在形成第二半導體膜之前，通過進一步減薄器件隔離凹槽上的器件隔離絕緣膜，使得器件隔離凹槽上形成的器件隔離絕緣膜的上表面比第一半導體膜的上表面低。

11.根據權利要求10的半導體器件制造方法，其中，采用過拋光或選擇腐蝕，進行器件隔離區中的器件隔離絕緣膜的減薄。

12.根據權利要求6的半導體器件制造方法，其中進一步包括以下工序，在從第一半導體膜上表面去除器件隔離絕緣膜之后，但是在形成第二半導體膜之前，通過進一步減薄器件隔離凹槽上的器件隔離絕緣膜，使得器件隔離凹槽上形成的器件隔離絕緣膜的上表面比第一半導體膜的上表面低。

13.根據權利要求12的半導體器件制造方法，其中，采用過拋光或選擇腐蝕，進行器件隔離區中的器件隔離絕緣膜的減薄。

14.根據權利要求6的半導體器件制造方法，其中，采用化學機械拋光方法，同時地進行器件隔離絕緣膜從器件形成區域的去除以及器件隔離凹槽上的器件隔離絕緣膜的減薄。

15.根據權利要求6的半導體器件制造方法，其中，形成第二半導體膜的側表面，使得器件隔離凹槽上的器件隔離絕緣膜上具有平滑曲面。

16.根據權利要求6的半導體器件制造方法，其中，通過使用含有硅和氯的氣體的汽相淀積，進行第二半導體膜的選擇性生長。