[發明專利]形成導電薄膜的材料,用其制成導電薄膜的方法以及用途

無效

• 申請號: 02108266.9
• 申請日: 1995-08-01
• 公開（公告）號: CN1379413A
• 公開（公告）日: 2002-11-13
• 發明（設計）人: 松田宏;藤原良治
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00;H01B5/14;H01J9/02;G02F1/13
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 陳季壯

1.一種制造導電薄膜的方法，它包括將用以形成導電薄膜的材料涂敷到襯底上并加熱該材料的步驟，其中將所述用以形成導電薄膜的材料涂敷到所述襯底上的處理包括在所述襯底上形成用以形成導電薄膜材料的單分子薄膜的步驟。

2.按照權利要求1制造導電薄膜的方法，其中它進一步包括用紫外線照射所述單分子薄膜的步驟。

3.按照權利要求2的形成導電薄膜的方法，其特征在于，在O₃存在下進行所述紫外線照射。

4.按照權利要求1-3中任一項的制造導電薄膜的方法，其特征在于，用于形成導電薄膜的所述材料包括金屬和疏水與親水成分。

5.一種制造帶有包括電子發射區的導電薄膜的電子發射器件的方法，其特征在于，它包括形成具有電子發射區的導電薄膜的步驟，所述步驟由按照權利要求1的形成導電薄膜的方法來實行。

6.按照權利要求5的制造電子發射器件的方法，其特征在于，它進一步包括用紫外線照射所述涂敷材料的步驟。

7.按照權利要求6的制造導電薄膜的方法，其特征在于，在O₃存在下進行所述紫外線照射。

8.按照權利要求5至7中任一項的制造電子發射器件的方法，其特征在于，用于形成導電薄膜的所述材料包括金屬和疏水及親水成分。

9.一種制造由許多電子發射器件組成的電子源的方法，其中每個電子發射器件都具有包括電子發射區的導電薄膜，其特征在于，由按照權利要求5至7中任一項的方法來制造所述電子發射器件。

10.按照權利要求9的制造電子源的方法，其特征在于，用于形成導電薄膜的所述材料包括金屬和疏水及親水成分。

11.一種制造由電子發射器件和成象部件組成的成象裝置的方法，其中每個電子發射器件都具有包括電子發射區的導電薄膜，其特征在于，用按照權利要求5至7中任一項的方法來制造所述電子發射器件。

12.按照權利要求11的制造成象裝置的方法，其特征在于，用于形成導電薄膜的所述材料包括金屬和疏水及親水成分。

13.一種制造液晶校正膜的方法，包括把用于形成導電薄膜的材料涂敷到襯底上并對該材料進行加熱的步驟，其特征在于，用于形成導電薄膜的所述材料是由金屬以及疏水和親水的材料組成。

14.按照權利要求13的形成液晶校正膜的方法，其特征在于，它進一步包括用紫外線照射所述單分子膜的步驟。

15.按照權利要求13的形成液晶校正膜的方法，其特征在于，在O₃存在下進行這種紫外線照射。

16.一種制造具有液晶校正膜的液晶顯示裝置的方法，其特征在于，它包括形成液晶校正膜的步驟，并且用按照權利要求13的方法來實施所述步驟。

17.按照權利要求16的制造液晶顯示裝置的方法，其特征在于，它進一步包括用紫外線照射所述單分子膜的步驟。

18.按照權利要求17的制造液晶裝置的方法，其特征在于，在O₃存在下實施所述紫外線照射。

19.一種形成液晶校正膜的方法，包括把用于形成導電薄膜的材料涂敷到襯底上并對該材料進行加熱的步驟，其特征在于，把用于形成導電薄膜的所述材料涂敷到所述襯底上的工藝包括在所述襯底上形成用于形成導電薄膜的所述材料的單分子膜的步驟。

20.按照權利要求19的形成液晶校正膜的方法，其特征在于，它進一步包括用紫外線照射所述單分子膜的步驟。

21.按照權利要求20的形成液晶校正膜的方法，其特征在于，在O₃存在下實施所述紫外線照射。

22.按照權利要求19至21中任一項形成液晶校正膜的方法，其特征在于，用于形成導電薄膜的材料包括金屬和疏水與親水成分。

23.一種制造包括液晶校正膜的液晶顯示裝置的方法，其特征在于，它包括形成液晶校正膜的步驟，并且用按照權利要求19的方法來實施所述步驟。