[發明專利]半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 02108138.7
• 申請日: 2002-03-27
• 公開（公告）號: CN1391260A
• 公開（公告）日: 2003-01-15
• 發明（設計）人: 岸田剛信;多田慎也;池田敦;原田剛史;杉原康平
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導體裝置，其特征在于：

它具有阻擋層和電極或者布線，

阻擋層形成在設于半導體襯底上的絕緣性或者導電性膜上，

電極或者布線由形成在所述阻擋層上的導電膜組成，

所述阻擋層上面的原子間距與所述導電膜下面的原子間距幾乎相等。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述阻擋層具有正方晶的晶體結構，而且所述阻擋層的上面取向(001)面，

所述導電膜具有面心立方晶格的晶體結構，而且所述導電膜的下面取向(111)面。

3.一種半導體裝置，其特征在于：

它具備阻擋層和由導電膜組成的電極或者布線，

阻擋層形成在設于半導體襯底上的絕緣性或者導電性膜上，

組成電極或者布線的導電膜形成在所述阻擋層上，

所述阻擋層是具有β結構的晶體結構的鉭膜。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于：

所述阻擋層由下層的第1阻擋層和上層的第2阻擋層疊層膜組成，所述第1阻擋層由氮化物膜組成，

所述第2阻擋層由晶體結構為β結構的鉭膜組成。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于：

所述第1阻擋層是氮化鉭膜，所述導電膜是銅膜。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：

所述銅膜取向(111)面。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：

所述氮化鉭膜中(氮原子數)/(鉭原子數)的值小于0.4。

8.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于：

所述絕緣性或導電性膜是含氟成分的絕緣膜。

9.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于：

所述絕緣性或者導電性膜是絕緣膜，

所述阻擋層形成在所述絕緣膜凹陷部的底面及側壁面上、凹陷部形成在絕緣膜上，

所述導電膜是埋入所述凹陷部的所述阻擋層上的針形接點或者埋入布線。

10.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于：

它具備阻擋層形成工程和電極或者布線形成工程，

阻擋層形成在半導體襯底上的絕緣性或者導電性膜上，

電極或者布線由所述阻擋層上的導電膜組成，

所述阻擋層上面的原子間距與所述導電膜下面的原子間距幾乎相等。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述阻擋層具有正方晶的晶體結構，而且所述阻擋層的上面取向(001)面，

所述導電膜具有面心立方晶格的晶體結構，而且所述導電膜的下面取向(111)面。

12.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于：

它具有阻擋層形成工程和由導電膜組成的電極或者布線的形成工程，

阻擋層形成在半導體襯底上的絕緣性或者導電性膜上，

組成電極或者布線的導電膜形成在所述阻擋層上，

所述阻擋層是具有β結構晶體結構的鉭膜。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述阻擋層由下層的第1阻擋層和上層的第2阻擋層疊層膜組成，

所述第1阻擋層由氮化物膜組成，

所述第2阻擋層由晶體結構為β結構的鉭膜組成。

14.根據權利要求13所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述第1阻擋層是氮化鉭膜，所述導電膜是銅膜。

15.根據權利要求14所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述銅膜取向(111)面。

16.根據權利要求14所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述氮化鉭膜中(氮原子數)/(鉭原子數)的值小于0.4。

17.根據權利要求13所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述絕緣性或者導電性膜是含氟成分的絕緣膜。

18.根據權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述絕緣性或者導電性膜是絕緣膜，

所述阻擋層形成在凹陷部的底面及側壁面上，凹陷部形成在所述絕緣膜上，

所述導電膜是埋入在所述凹陷部的所述阻擋層上的針形接點或者埋入布線。