[發明專利]半導體存儲器以及驅動半導體存儲器的方法

無效

• 申請號: 02107312.0
• 申請日: 2002-03-14
• 公開（公告）號: CN1397951A
• 公開（公告）日: 2003-02-19
• 發明（設計）人: 河村祥一
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: G11C7/00
• 分類號: G11C7/00;G11C7/12;G11C11/4063
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 付建軍

1.一種半導體存儲器包括：

存儲單元，其中包括具有存儲數據的控制柵極和浮置柵極(floating?gate)的晶體管；以及

把參照電勢提供到所述存儲單元的線路，

其中，在執行把數據寫入到所述存儲單元中的時間段內，用于把參照電勢提供到所述存儲單元的所述線路的電勢被設置在正電勢。

2.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，該正電勢不大于所述半導體存儲器的電源電勢并且不小于該電源電勢的1/2。

3.根據權利要求2所述的存儲器，其特征在于，在執行用于檢查由數據寫入操作所寫入的數據的編程確認操作過程中，用于把參考電勢提供到所述存儲單元的所述線路的電勢被設置在0V。

4.根據權利要求2所述的存儲器，其特征在于，該正電勢為所述半導體存儲器的電源電勢。

5.根據權利要求2所述的存儲器，其特征在于，該電源電勢基本上為所述半導體存儲器的電源電壓1/2。

6.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述多個存儲單元相串聯，串聯的存儲單元的一端連接到用于把數據輸入和輸出所述存儲單元的位線，并且該串聯的存儲單元的另一端連接到用于把參考電勢提供到所述存儲單元的所述線路。

7.根據權利要求6所述的存儲器，其特征在于，在所述位線的電勢被設置在對應于把數據寫入到所述存儲單元的電勢過程中，所述用于把參考電勢提供到所述存儲單元的所述線路的電勢被設置在正電勢。

8.根據權利要求7所述的存儲器，其特征在于，該正電勢不大于所述半導體存儲器的電源電壓并且不小于該電源電壓的1/2。

9.根據權利要求8所述的存儲器，其特征在于，在執行用于檢查由數據寫入操作所寫入的數據的編程確認操作過程中，用于把參考電勢提供到所述存儲單元的所述線路的電勢被設置在0V。

10.一種用于驅動半導體存儲器的方法，其在包含具有控制柵極和浮置柵極的晶體管的存儲單元中存儲數據，

其特征在于在執行對存儲單元的數據寫入操作過程中，一個正電勢被提供到用于把參考電勢提供到存儲單元的線路。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，該正電勢不大于所述半導體存儲器的電源電壓并且不小于該電源電壓的1/2。

12.根據權利要求11所述的存儲器，其特征在于，在執行用于檢查由數據寫入操作所寫入的數據的編程確認操作過程中，用于把參考電勢提供到所述存儲單元的所述線路的電勢被設置在0V。

13.一種用于驅動半導體存儲器的方法，其在包含具有控制柵極和浮置柵極的晶體管的存儲單元中存儲數據，其特征在于，多個存儲單元相串聯，串聯的存儲單元的一端連接到用于把數據輸入和輸出所述存儲單元的位線，并且該串聯的存儲單元的另一端連接到用于把參考電勢提供到所述存儲單元的線路，

其中，在該位線的電勢被設置在對應于把數據寫入到所述存儲單元的電勢過程中，把一個正電勢提供到所述用于把參考電勢提供到該存儲單元的所述線路。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，該正電勢不大于所述半導體存儲器的電源電壓并且不小于該電源電壓的1/2。

15.根據權利要求14所述的方法，其特征在于，在執行用于檢查由數據寫入操作所寫入的數據的編程確認操作過程中，把0V提供到用于把參考電勢提供到該存儲單元的線路。