[發(fā)明專利]具有小袋的半導(dǎo)體器件及其制造

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 02106726.0
• 申請(qǐng)日: 2002-03-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1393935A
• 公開(kāi)（公告）日: 2003-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 和田一;岡部堅(jiān)一;渡邊孔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士通株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336;H01L21/425
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 王永剛

1.一種半導(dǎo)體器件，它包含：

具有主表面的硅襯底；

被制作在所述硅襯底主表面中且由隔離區(qū)確定的第一和第二有源區(qū)；

第一n溝道MOS晶體管，它包含制作在所述第一有源區(qū)中的具有柵絕緣膜的第一絕緣柵、制作在第一絕緣柵二側(cè)上的所述第一有源區(qū)中的第一延伸區(qū)、和制作在第一絕緣柵二側(cè)上的所述第一有源區(qū)中比第一延伸區(qū)更深處的第一小袋區(qū)域，此第一小袋區(qū)域被第一濃度的銦摻雜；以及

第二n溝道MOS晶體管，它包含制作在所述第二有源區(qū)中的具有柵絕緣膜的第二絕緣柵、制作在第二絕緣柵二側(cè)上的所述第二有源區(qū)中的第二延伸區(qū)、和制作在第二絕緣柵二側(cè)上的所述第二有源區(qū)中比第二延伸區(qū)更深處的第二小袋區(qū)域，此第二小袋區(qū)域被比第一濃度更低的第二濃度的銦摻雜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中第二小袋區(qū)域還被硼摻雜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中第二n溝道MOS晶體管的柵寬度窄于第一n溝道MOS晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體器件，其中第二小袋區(qū)域還被硼摻雜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，還包含：

由隔離區(qū)確定的第三有源區(qū)；以及

p溝道MOS晶體管，它包含制作在所述第三有源區(qū)中的具有柵絕緣膜的第三絕緣柵、制作在第三絕緣柵二側(cè)上的所述第三有源區(qū)中的p型延伸區(qū)、和制作在第三絕緣柵二側(cè)上的所述第三有源區(qū)中比p型延伸區(qū)更深處的n型小袋區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件，其中所述第一n溝道MOS晶體管和所述p溝道MOS晶體管構(gòu)成邏輯電路，而所述第二n溝道MOS晶體管構(gòu)成存儲(chǔ)器電路。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，還包含：

由隔離區(qū)確定的第三有源區(qū)；以及

第三n溝道MOS晶體管，它包含制作在所述第三有源區(qū)中的第三絕緣柵、第三絕緣柵的柵絕緣膜厚于第一和第二絕緣柵的柵絕緣膜、和在第三絕緣柵二側(cè)上的所述第三有源區(qū)中制作的不具有小袋區(qū)域的第三延伸區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件，還包含：

由隔離區(qū)確定的第四有源區(qū)；以及

第三n溝道MOS晶體管，它包含制作在所述第四有源區(qū)中的第四絕緣柵、第四絕緣柵的柵絕緣膜厚于第一和第二絕緣柵的柵絕緣膜、和在第四絕緣柵二側(cè)上的所述第四有源區(qū)中制作的不具有小袋區(qū)域的第三延伸區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8的半導(dǎo)體器件，其中所述第一n溝道MOS晶體管和所述p溝道MOS晶體管構(gòu)成邏輯電路，所述第二n溝道MOS晶體管構(gòu)成存儲(chǔ)器電路，而所述第三n溝道MOS晶體管構(gòu)成輸入/輸出電路。

10.一種半導(dǎo)體器件，它包含：

具有主表面的硅襯底；

被制作在所述硅襯底主表面中且由隔離區(qū)確定的第一和第二有源區(qū)；

第一n溝道MOS晶體管，它包含制作在所述第一有源區(qū)中的具有柵絕緣膜的第一絕緣柵、制作在第一絕緣柵二側(cè)壁上的第一側(cè)壁隔層、制作在第一絕緣柵二側(cè)上的所述第一有源區(qū)中的第一延伸區(qū)、和制作在第一絕緣柵二側(cè)上的所述第一有源區(qū)中比第一延伸區(qū)更深處的第一小袋區(qū)域，此第一小袋區(qū)域被第一濃度的銦摻雜，且所述第一n溝道MOS晶體管包括第一側(cè)壁隔層下方的非晶相區(qū)域；以及

第二n溝道MOS晶體管，它包含制作在所述第二有源區(qū)中的具有柵絕緣膜的第二絕緣柵、制作在第二絕緣柵二側(cè)壁上的第二側(cè)壁隔層、制作在第二絕緣柵二側(cè)上的所述第二有源區(qū)中的第二延伸區(qū)、和制作在第二絕緣柵二側(cè)上的所述第二有源區(qū)中比第二延伸區(qū)更深處的第二小袋區(qū)域，此第二小袋區(qū)域被比第一濃度更低的第二濃度的銦摻雜，且所述第二n溝道MOS晶體管包括第二側(cè)壁隔層下方的非晶相區(qū)域，此非晶相區(qū)域比第一側(cè)壁隔層下方的非晶相區(qū)域小。

11.根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件，其中第二小袋區(qū)域被硼進(jìn)一步摻雜。