[發明專利]開關電路裝置無效

申請號：	02106544.6	申請日：	2002-02-27
公開（公告）號：	CN1372382A	公開（公告）日：	2002-10-02
發明（設計）人：	平井利和;淺野哲郎	申請（專利權）人：	三洋電機株式會社
主分類號：	H03K17/00	分類號：	H03K17/00
代理公司：	中國專利代理(香港)有限公司	代理人：	楊凱,葉愷東
地址：	日本***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	開關電路裝置
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【權利要求書】：

1.一種開關電路裝置，其特征在于：

包括1個公用輸入端點；第1和第2輸出端點；1個控制端點；與上述公用輸入端點和上述第1輸出端點連接的第1開關元件；與上述公用輸入端點和上述第2輸出端點連接的第2開關元件；向上述第1輸出端點或上述公用輸入端點供給規定的偏壓的偏壓裝置；連接上述1個控制端點和上述第2開關元件的連接裝置；與上述公用輸入端點連接的隔離裝置；以及與上述第2開關元件連接的接地裝置，從上述1個控制端點向上述第1?FET施加控制信號。

2.如權利要求1所述的開關電路裝置，其特征在于：

上述偏壓裝置向上述第1輸出端點或上述公用輸入端點一直施加恒定的電壓。

3.如權利要求2所述的開關電路裝置，其特征在于：

上述偏壓裝置一直提供恒定的正直流電壓。

4.如權利要求1所述的開關電路裝置，其特征在于：

上述隔離裝置用電容器形成。

5.一種化合物半導體開關電路裝置，其特征在于：

包括在溝道層表面設置了源電極、柵電極和漏電極的第1和第2FET；與上述兩FET的源電極或漏電極連接的公用輸入端點；與上述兩FET的漏電極或源電極連接的第1和第2輸出端點；與上述第1?FET的柵電極連接的控制端點；向上述第1?FET的上述第1輸出端點或上述公用輸入端點供給恒定偏壓的偏壓裝置；連接上述控制端點和上述第2FET的漏電極或源電極的連接裝置；使上述第2?FET的柵電極接地的接地裝置；以及在上述公用輸入端點和上述第2?FET的源電極或漏電極之間隔直流的隔離裝置，向上述控制端點施加控制信號。

6.如權利要求5所述的化合物半導體開關電路裝置，其特征在于：

上述偏壓裝置向上述第1輸出端點或上述公用輸入端點一直施加恒定的電壓。

7.如權利要求6所述的化合物半導體開關電路裝置，其特征在于：

上述偏壓裝置一直提供恒定的正直流電壓。

8.如權利要求5所述的化合物半導體開關電路裝置，其特征在于：

上述隔離裝置用電容器形成。

9.如權利要求5所述的化合物半導體開關電路裝置，其特征在于：

上述第1和第2?FET由與上述溝道層呈肖特基接觸的柵電極，以及與上述溝道層呈歐姆接觸的源、漏電極構成。

10.如權利要求5所述的化合物半導體開關電路裝置，其特征在于：

用MESFET形成上述第1和第2?FET。

11.如權利要求5所述的化合物半導體開關電路裝置，其特征在于：

在同一半導體襯底上集成化地形成上述第1和第2?FET，上述偏壓裝置和隔離裝置以外接的方式形成。