[發明專利]用于利用磁場形成金屬薄膜的濺射裝置無效
| 申請號： | 02106239.0 | 申請日： | 2002-04-05 |
| 公開（公告）號： | CN1407130A | 公開（公告）日： | 2003-04-02 |
| 發明（設計）人： | 樸榮奎;嚴顯鎰;申在光;金圣九 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 謝麗娜,谷惠敏 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 利用 磁場 形成 金屬 薄膜 濺射 裝置 | ||
【說明書】：
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