[發明專利]用母掩模在中間掩模上形成IC芯片的圖形用的曝光方法

無效

• 申請號: 02106195.5
• 申請日: 2002-04-09
• 公開（公告）號: CN1380584A
• 公開（公告）日: 2002-11-20
• 發明（設計）人: 姜帥現;井上壯一
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;大日本印刷株式會社
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F1/16;G03F7/16
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

1.一種母掩模的制造方法，用于在被曝光體上對具有能一次曝光的區域以上大小的圖形進行曝光，其特征在于包括：

將上述具有能一次曝光的區域以上大小的圖形分割成重復性低的區域、以及重復性高的區域的步驟；

將上述重復性低的區域的圖形描繪在至少一個第一母掩模(1-5、1-6)上的步驟；以及

將上述重復性高的區域的圖形描繪在至少一個第二母掩模(1-1～1-4)上的步驟。

2.根據權利要求1所述的母掩模的制作方法，其特征在于：

上述重復性高的區域是功能元件(A)的圖形，

上述重復性低的區域是切割區域(4、4X、4Y)的圖形，

在上述切割區域(4、4X、4Y)的圖形上有X方向圖形(4X)和與上述X方向交叉的Y方向圖形(4Y)，

將上述X方向圖形及上述Y方向圖形兩者中的任意一者描繪在上述第一母掩模(1-5、1-6)上。

3.根據權利要求2所述的母掩模的制作方法，其特征在于：

上述切割區域(4、4X、4Y)的圖形按照上述能一次曝光的區域，被分割成多個區域，

將上述被分割成多個的切割區域(4、4X、4Y)的圖形分別描繪在上述第一母掩模(1-5、1-6)上。

4.一種母掩模的制造方法，用于在被曝光體上對具有能一次曝光的區域以上大小的圖形進行曝光，其特征在于包括：

將上述具有能一次曝光的區域以上大小的圖形分割成重復性低的區域、以及重復性高的區域的步驟；

將上述重復性高的區域的圖形描繪在至少一個母掩模(1-1～1-4)上的步驟；以及

將上述重復性低的區域的圖形描繪在上述母掩模(1-1～1-4)中描繪了上述重復性高的區域的圖形的部分以外的部分(1-1、1-2、1-4)上的步驟。

5.根據權利要求4所述的母掩模的制作方法，其特征在于：

上述重復性高的區域是功能元件(A)的圖形，

上述重復性低的區域是切割區域(4、4X、4Y)的圖形，

在上述切割區域(4、4X、4Y)的圖形上有X方向圖形(4X)和與上述X方向交叉的Y方向圖形(4Y)，

將上述X方向圖形(4X)及上述Y方向圖形(4Y)兩者中的任意一者描繪在上述母掩模(1-1～1-4)上。

6.根據權利要求5所述的母掩模的制作方法，其特征在于：

上述切割區域(4、4X、4Y)的圖形按照上述能一次曝光的區域，被分割成多個區域，

將上述被分割成多個的切割區域(4、4X、4Y)的圖形分別描繪在上述母掩模(1-1～1-4)上。

7.一種曝光方法，在被曝光體上用在能一次曝光的區域范圍內分割描繪的母掩模，對具有能一次曝光的區域以上大小的圖形進行曝光，其特征在于包括：

將上述具有能一次曝光的區域以上大小的圖形分割成重復性高的區域、以及重復性低的區域的步驟；

用描繪了上述重復性低的區域的圖形的至少一個第一母掩模(1-5、1-6)，在上述被曝光體(2)上對上述重復性低的區域的圖形進行曝光的步驟；以及

用描繪了上述重復性高的區域的圖形的至少一個第二母掩模(1-1～1-4)，在上述被曝光體(2)上對上述重復性高的區域的圖形共同進行曝光的步驟。

8.根據權利要求7所述的曝光方法，其特征在于：

上述重復性低的區域的圖形按照上述能一次曝光的區域分割成多個區域，描繪在上述第一母掩模(1-5、1-6)上，

在上述被曝光體(2)上對描繪在上述第一母掩模(1-5、1-6)上的上述被分割成多個的圖形曝光時，上述被分割成多個的圖形中只選擇欲曝光的圖形進行照明。

9.一種曝光方法，在被曝光體上用在能一次曝光的區域范圍內分割描繪的母掩模，對具有能一次曝光的區域以上大小的圖形進行曝光，其特征在于包括：

將上述具有能一次曝光的區域以上大小的圖形分割成重復性高的區域、以及重復性低的區域的步驟；以及

用具有描繪了上述重復性高的區域的圖形的第一部分、以及描繪了上述重復性低的區域的圖形的第二部分的母掩模(1-1～1-4)，在上述被曝光體(2)上對上述重復性低的區域的圖形進行曝光，而且用上述母掩模(1-1～1-4)在上述被曝光體(2)上共同對上述重復性高的區域的圖形進行曝光的步驟。