[發明專利]半導體器件

無效

• 申請號: 02106101.7
• 申請日: 2002-04-03
• 公開（公告）號: CN1379617A
• 公開（公告）日: 2002-11-13
• 發明（設計）人: 木村直人
• 申請（專利權）人: 日本電氣株式會社
• 主分類號: H05K7/20
• 分類號: H05K7/20;H01L23/46
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 穆德駿,方挺

技術領域

本發明涉及一種半導體集成電路布局方法，具體涉及一種能夠以高集成密度改善冷卻效率、降低電阻并提高裝配效率的半導體器件。

現有技術

常規方法已經提出了各種各樣能夠以高集成密度改善冷卻效率的半導體器件。例如，日本專利公開說明書58-114500公開了一種如圖6所示的半導體器件。在圖6中，在每個單元基片41上，安裝有與引線43相連的半導體器件42。單元基片排列成矩陣形狀(蜂窩狀)，單元基片之間的引線通過連接器(未顯示)相互連接。冷卻劑在由此裝配的單元基片之間的空間44內流動從而冷卻半導體器件42。

另外，日本專利公開說明書6-342991公開了一種如圖7所示的半導體器件。在圖7中，端面為六邊形的加長主體基片51被捆扎在一起，半導體器件52被安裝在其外露表面上。在主體基片51的六角平面上形成引線53以與半導體器件52相連。另外，相鄰基片的引線53彼此相互接觸相連。冷卻劑流經加長的主體基片51的中空的中心54從而冷卻半導體器件52。

在圖6所示的常規技術中，冷卻劑在內部流動，從而冷卻半導體器件。但是，引線用于半導體器件之間的連接，這會增加電阻。另外，還需要裝配大量的單元基片，以形成冷卻劑流動的空間，并且單元基片之間的連接還要使用連接器。因此，這需要大量的裝配步驟。另外，由于每個半導體器件都是獨立安裝，因此會進一步增加裝配步驟的數量。

另一方面，在圖7所示的常規技術中，內部流動的冷卻劑可以冷卻半導體器件。但是，與圖6的方法一樣，由于半導體器件之間的連接要使用引線，這就會增加電阻。另外，因為每個半導體器件都是獨立安裝，因此會增加裝配步驟的數量。而且，因為半導體器件只安裝在被捆扎的主體基片的外露表面上，因此不可能實現更高的集成密度。

因此本發明的目的是提供這樣一種半導體器件：它能充分冷卻半導體器件，降低電阻，實現高集成密度并減少裝配步驟的數量。

發明內容

因此本發明的目的是提供這樣一種半導體器件：它能充分冷卻半導體器件，降低電阻，實現高集成密度并減少裝配步驟的數量。

本發明提供的半導體器件包括：帶狀布線基片；半導體器件，設置在帶狀布線基片的一個主側面上；焊球或凸起電極，與包括半導體器件的帶狀布線基片的一個主側面的預定位置相連，并且被設置在帶狀布線基片的另一個側面上；以及空心管形基片，其中帶狀布線基片以其一個主側面朝向空心管形基片的方式纏繞在空心管形基片上。

附圖說明

本發明的上述以及其他目的，特征和優點在參照結合下面的附圖而進行的詳細說明中將會變得更加明白。

圖1為根據本發明第一個實施例的半導體器件。

圖2為根據本發明第二個實施例的半導體器件。

圖3顯示了根據本發明實施例的半導體器件的制作步驟。

圖4顯示了圖3步驟之后的步驟。

圖5顯示了圖4步驟之后的步驟。

圖6顯示了根據常規技術的半導體器件。

圖7顯示了根據常規技術的另一種半導體器件。

現在將參照附圖對本發明的實施例進行說明。

圖1為根據本發明的第一個實施例的半導體器件的透視圖，其包括一個橫截的端面。帶狀布線基片12纏繞在一個六邊形的外形的空心管形的基片11上。

在帶狀布線基片(以粗線表示)內部安裝有一個倒裝芯片型半導體元件15和一個焊絲型半導體元件16。把這些元件的上表面按在空心管形基片11的六個外壁上，然后在它們之間澆注粘合樹脂17。這種帶狀布線基片12是由象聚酰亞胺薄膜這樣的撓性膜制成的帶。

倒裝芯片型半導體元件15由半導體芯片21、焊球或凸起電極22以及密封樹脂25構成。半導體芯片21的上表面從密封樹脂25中露出并與空心管形基片11的外壁直接接觸。

焊絲型半導體元件16由半導體芯片23，焊絲24以及構成封裝的密封樹脂26組成。構成封裝的密封樹脂26其上表面與空心管形基片11的外壁直接接觸。

另一方面，在纏繞的帶狀布線基片12外部，設置了焊球或凸起電極13。這種焊球或凸起電極13與包括半導體元件15和16的帶狀布線基片12內部的預定位置進行電連接。

用粘合樹脂17填充半導體元件15，16、空心管形基片11以及帶狀布線基片12之間的空間，由此便把所有的組件形成為一個整塊，粘合樹脂17不同于構成封裝的樹脂25，26。

另外，長度大于帶狀布線基片12寬度的空心管形基片11的中空的中心為冷卻劑通道14，冷卻氣體和冷卻液在其中流動，以冷卻半導體元件。