[發明專利]第III族氮化物半導體激光器及其制造方法

無效

• 申請號: 02105992.6
• 申請日: 2002-04-12
• 公開（公告）號: CN1380727A
• 公開（公告）日: 2002-11-20
• 發明（設計）人: 渡邊溫;木村義則;太田啟之
• 申請（專利權）人: 先鋒株式會社
• 主分類號: H01S5/323
• 分類號: H01S5/323
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 韓宏

1、一種具有多個由第III族氮化物半導體構成的結晶層的氮化物半導體激光器，其中第III族氮化物半導體由公式(Al_xGa_1-x)_1-yIn_yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1)表示，包括：

接近于在所述第III族氮化物半導體結晶層中的激活層并且由Al_x’Ga_1-x’-y’In_y’N(其中0≤x’≤1，0≤y’≤1)構成的激活層側導引層；

沉積在所述激活層側導引層上并且具有條紋狀孔隙的一個電流壓縮AlN層；

由Al_x”Ga_1-x”-y”In_y”N(其中0≤x”≤1，0≤y”≤1)構成的并且沉積以填充所述電流壓縮層孔隙的電極側導引層；以及

由Al_uGa_1-u-vIn_vN(其中0≤u≤1，0≤v≤1)構成并且沉積在所述電極側導引層上的一個鍍層。

2、按照權利要求1中所述的氮化物半導體激光器，其中所述電流壓縮層在溫度為400-600℃之間沉積。

3、按照權利要求1或者2所述的氮化物半導體激光器，其中所述電流壓縮層的薄膜厚度為100-800。

4、按照權利要求3所述的氮化物半導體激光器，其中所述電流壓縮層的薄膜厚度是200-600。

5按照權利要求1-4中任何一個所述的氮化物半導體激光器，其中所述引導層具有p型導電性。

6、按照權利要求1-5中任何一個所述的氮化物半導體激光器，其中所述引導層包括II族成分。

7、按照權利要求1-6中任何一個所述的氮化物半導體激光器，其中由Al_zGa_1-zN(其中0.05≤z≤0.3)構成的半導體層插入在所述激活層和所述激活層-側導引層之間。

8、按照權利要求1-6中任何一個所述的氮化物半導體激光器，其中所述激活層-側導引層能帶間隙，所述電極-側導引層和所述鍍層分別是Eg₁，Eg₂和Eg₃，它們的關系是Eg₁≤Eg₂≤Eg₃。

9、一種用于制造具有多個由第III族氮化物半導體構成的結晶層的氮化物半導體激光器的方法，其中第III族氮化物半導體由公式(Al_xGa_1-x)_1-yIn_yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1)表示，包括步驟：

在激活層側導引層上形成一個電流壓縮AlN層，其中激活層側導引層接近于在第III族氮化物半導體結晶層中的激活層并且該層由Al_x’Ga_1-x’-y’In_y’N(其中0≤x’≤1，0≤y’≤1)構成；

在所述電流壓縮層中形成條紋狀孔隙；

用由Al_x”Ga_1-x”-y”In_y”N(其中0≤x”≤1，0≤y”≤1)構成的電極側導引層掩蓋所述電流壓縮層；以及

在所述電極側導引層上形成由Al_uGa_1-u-vIn_vN(其中0≤u≤1，0≤v≤1)構成的鍍層。

10、按照權利要求9的制造方法，其中所述結晶層的增長由有機金屬的化學氣相淀積執行。

11、按照權利要求9或者10的制造方法，其中由Al_zGa_1-zN(其中0.05≤z≤0.3)構成的半導體層在形成所述激活層側導引層的步驟之前增長。

12、按照權利要求9-12中任何一個所述的制造方法，其中所述電流壓縮層在形成所述電流壓縮層的步驟中，在溫度為400-600℃之間沉積。

13、按照權利要求9-12中任何一個所述的制造方法，其中形成所述電流壓縮層的步驟包括濕法蝕刻所述電流壓縮層以便形成條紋狀孔隙的步驟。