[發(fā)明專利]平板顯示器及其制造方法

有效

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• 申請日: 2002-04-11
• 公開（公告）號: CN1380700A
• 公開（公告）日: 2002-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇宇永;俞庚辰;樸商一
• 申請（專利權(quán)）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L31/12;H01L21/00;H05B33/00;G09F9/30
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波,侯宇

1.一種平板顯示器，包括：

形成在絕緣襯底上的半導(dǎo)體層；

分別直接接觸半導(dǎo)體層的第一端部和第二端部的源電極和漏電極；

具有形成在其上的開口部分的像素電極；

形成在絕緣襯底的除開口部分以外的其余部分上的第一絕緣層；

形成在第一絕緣層的形成在半導(dǎo)體層之上的部分上的柵電極；以及

形成在半導(dǎo)體層的第一端部和第二端部中的源極區(qū)和漏極區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中，源電極和漏電極包括順次疊置的像素電極材料層、金屬材料層和封頂絕緣材料層。

3.如權(quán)利要求2所述的顯示器，其中，像素電極從源電極和漏電極其中之一延伸。

4.如權(quán)利要求2所述的顯示器，還包括存儲電容器，該存儲電容器包含第一和第二電容器電極、以及夾在其間的介電層，第一電容器電極包括順次疊置的像素電極材料層和金屬材料層，第二電容器電極包括柵電極材料層，介電層包括順次疊置的封頂絕緣材料層和第一絕緣層。

5.如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中，源極區(qū)和漏極區(qū)包括形成在半導(dǎo)體層的在源和漏電極與柵電極之間的部分中的偏置區(qū)。

6.如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中，源極區(qū)和漏極區(qū)包括形成在半導(dǎo)體層的在源和漏電極與柵電極之間的部分內(nèi)的低密度源極區(qū)和漏極區(qū)，從而形成輕度摻雜的漏極結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求1所述的顯示器，還包括第一和第二隔離襯，第一隔離襯形成在源極區(qū)和漏極區(qū)的側(cè)壁部分上，第二隔離襯形成在柵電極和開口部分的側(cè)壁部分上。

8.如權(quán)利要求1所述的顯示器，還包括用于在第一絕緣層的除開口部分以外的剩余部分上平面化的第二絕緣層。

9.如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中，柵電極包括順次疊置的金屬材料層和封頂絕緣層。

10.一種制造平板顯示器的方法，包括：

在絕緣層上形成半導(dǎo)體層；

把具有第一電導(dǎo)的雜質(zhì)離子注入進(jìn)半導(dǎo)體層；

形成源電極和漏電極，該源電極和漏電極與半導(dǎo)體層的第一端部和第二端部直接接觸；

把具有第二電導(dǎo)的雜質(zhì)離子注入到半導(dǎo)體層內(nèi)，從而形成高密度的源極區(qū)和漏極區(qū)以及溝道區(qū)，該高密度的源極區(qū)和漏極區(qū)與源電極和漏電極直接接觸；

在絕緣襯底的整個表面上形成第一絕緣層；

形成具有形成在其上的開口部分的像素電極；以及

在第一絕緣層的形成在半導(dǎo)體層之上的部分上形成柵電極。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，源電極和漏電極包括順次疊置的像素電極材料層、金屬材料層和封頂絕緣材料層。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，通過依次蝕刻順次疊置的第一絕緣層、封頂絕緣層和金屬材料層而形成通過開口部分暴露的像素電極。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括存儲電容器，該存儲電容包含第一和第二電容器電極以及夾在其間的介電層，第一電容器電極從源電極和漏電極其中之一延伸，并且包括順次疊置的像素電極材料層和金屬材料層，第二電容器電極包括柵電極材料層，介電層形成在第一電容器電極上，并且包括順次疊置的封頂絕緣層和第一絕緣層。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括在形成帶有開口部分的像素電極的同時形成接觸孔，接觸孔接觸第一電容器電極和柵電極。