[發(fā)明專利]熒光體的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 02105719.2
• 申請日: 1997-03-14
• 公開（公告）號: CN1398947A
• 公開（公告）日: 2003-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 松田直壽;玉谷正昭;奧村美和;阿爾貝薩德惠子;川崎一博;橫田誠二;元木信二郎;井上好明
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝;高周波熱練株式會社
• 主分類號: C09K11/00
• 分類號: C09K11/00
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 楊宏軍

1.一種熒光體的制造方法，其特征在于，該方法具有將含有熒光體母體及賦活劑的熒光體粉在熱等離子體中在熒光體成分的一部分氣化的溫度下加熱后冷卻得到球狀熒光體粉的工序及，將得到的球狀熒光體粉在1200～1700℃下進(jìn)行熱處理的工序。

2.權(quán)利要求1記載的熒光體的制造方法，其特征在于，在1300～1600℃下進(jìn)行熱處理。

3.權(quán)利要求1記載的熒光體的制造方法，其特征在于，在進(jìn)行熱等離子體處理之前將含有熒光體母體及賦活劑的熒光體粉用酸洗滌后干燥。

4.一種熒光體的制造方法，其特征在于，該方法具有將含有熒光體母體和賦活劑的熒光體粉在熱等離子體中在熒光體成分的一部分氣化的溫度下加熱后冷卻得到球狀熒光體粉的工序及，在得到的球狀熒光體粉中混合構(gòu)成熒光體母體的元素的氧化物的微粒子，然后在1200～1700℃下進(jìn)行熱處理的工序。

5.權(quán)利要求4記載的熒光體的制造方法，其特征在于，在1300～1600℃下進(jìn)行熱處理。

6.權(quán)利要求4記載的熒光體的制造方法，其特征在于，上述熱處理時間為10分鐘～30小時。

7.權(quán)利要求4記載的熒光體的制造方法，其特征在于，所希望的熒光體是由如下通式表示的，

Ln₃M₅O₁₂∶R或Ln₂SiO₅∶R其中Ln是從Y、Gd、La及Lu組成的組中選擇的至少1種元素，M是從Al及Ga組成的組中選擇的至少1種元素，R是從鑭族及Cr、Ti及Fe組成的組中選擇的至少1種元素。

8.權(quán)利要求4記載的熒光體的制造方法，其特征在于，構(gòu)成熒光體母體的元素的氧化物的微粒子的粒徑為1μm以下。

9.權(quán)利要求4記載的熒光體的制造方法，其特征在于，在進(jìn)行熱等離子體處理之前將含有熒光體母體及賦活劑的熒光體粉用酸洗滌后干燥。