[發(fā)明專利]半導體激光模塊和具有光反饋功能的半導體激光裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 02105624.2
• 申請日: 2002-02-05
• 公開（公告）號: CN1379516A
• 公開（公告）日: 2002-11-13
• 發(fā)明（設計）人: 大久保典雄;大木泰
• 申請（專利權）人: 古河電氣工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01S5/00
• 分類號: H01S5/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 沈昭坤

1、一半導體泵浦激光部件包括：

一具有形成在砷化鎵襯底的表面上的層結構的半導體泵浦激光裝置，一包括所述層結構的至少一部分且其傳播軸方向平行于所述砷化鎵襯底表面的諧振腔，所述層結構具有一活性層，此活性層的量子井結構的至少一部分在所述諧振腔內，所述活性層由一種或多種至少包含鎵和砷的半導體材料構成，所述量子井結構至少包括一個井層和一個勢壘層，所述諧振腔和層結構使沿著諧振腔的傳播軸傳播的光的縱向模式具有空間間隔(Δλ_FP)；和

與所述半導體泵浦激光裝置產生的光相光學耦合的光反饋元件，所述光反饋元件具有大于或等于縱向模式的空間間隔的兩倍的反射率帶寬；和

其中所述半導體泵浦激光部件可產生具有多縱向模式的光；

其中所述量子井結構的至少一個井層的厚度為10nm或更厚。

2、據權利要求1的半導體泵浦激光部件，其中所述至少一個井層的厚度小于或等于20nm。

3、根據權利要求1的半導體泵浦激光部件，其中所述至少一個井層的厚度在12nm到15nm的范圍內。

4、根據權利要求1的半導體泵浦激光部件，其中所述至少一個井層具有關于砷化鎵襯底的壓力應變，所述壓力應變在0.5％至1.5％的范圍內。

5、根據權利要求1的半導體泵浦激光部件，其中所述至少一個井層具有關于砷化鎵襯底的壓力應變，所述壓力應變在1.0％至1.5％的范圍內。

6、根據權利要求1的半導體泵浦激光部件，其中至少所述活性層被摻入雜質。

7、根據權利要求6的半導體泵浦激光部件，其中所述雜質是n型雜質。

8、根據權利要求7的半導體泵浦激光部件，其中所述n型雜質是硅。

9、根據權利要求8的半導體泵浦激光部件，其中所述硅雜質是以1×10¹⁶至5×10¹⁸/cm³的濃度被摻入。

10、根據權利要求8的半導體泵浦激光部件，其中所述硅雜質是以5×10¹⁶至1×10¹⁸/cm³的濃度被摻入。

11、根據權利要求8的半導體泵浦激光部件，其中所述硅雜質是以2×10¹⁷至8×10¹⁷/cm³的濃度被摻入。

12、根據權利要求1的半導體泵浦激光部件，其中所述泵浦激光二極管的層結構包括一n型覆蓋層，其中此n型覆蓋層至少被摻入硅。

13、根據權利要求6的半導體泵浦激光部件，其中所述泵浦激光二極管的層結構包括一n型覆蓋層，其中此n型覆蓋層至少被摻入硅。

14、根據權利要求1的半導體泵浦激光部件，其中所述層結構一步包括一相鄰半導體層，此半導體層與活性層的一個表面相鄰，所述相鄰半導體層被摻入雜質。

15、根據權利要求1的半導體泵浦激光部件，其中所述量子井結構包括一個井層。

16、根據權利要求1的半導體泵浦激光部件，其中所述活性層的每種半導體材料至少包括以下混合物中的一種，GaAs，In_xGa_1-xAs，GaAs_ySB_1-y，和In_xGa_1-xAs_ySB1_-y，In_xGa_1-xAs_zP_1-z，In_xGa_1-xAs_ySb_zP_1-y-z，和GaAs_ySb_zP_1-y-z，其中x，y和z是在0和0.99之間的化學計量參數。