[發明專利]低衰減光纖無效
| 申請號： | 02105376.6 | 申請日： | 2002-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN1372399A | 公開（公告）日： | 2002-10-02 |
| 發明（設計）人： | 高橋文雄;田村順一;飯野顯 | 申請（專利權）人： | 古河電氣工業株式會社 |
| 主分類號： | H04J14/02 | 分類號： | H04J14/02;G02B6/00 |
| 代理公司： | 隆天國際專利商標代理有限公司 | 代理人： | 陳紅,潘培坤 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 衰減 光纖 | ||
1.一種低衰減光纖，其特征在于包含：
在1530nm至1565nm波段絕對值為2.0至14.0ps/nm/km的色散(D)；
標準大氣條件下在1550nm波長保持不大于0.25dB/km的傳輸損耗；
其中所述1520nm處的傳輸損耗以常規溫度在常規大氣壓下暴露在實質上含氫的氛圍中足夠長的時間后，不超過0.25dB/km。
2.如權利要求1所述的低衰減光纖，其特征在于還包含：
在1530nm至1565nm波段不大于0.15ps/nm2/km的色散斜率(S)；
不大于0.5ps·km-1/2的極化膜色散(PMD)；
彎曲成20mm直徑時在1550nm波長處不大于40dB/m的損耗增量。
3.如權利要求1所述的低衰減光纖，其特征在于還包含：
在1550nm波長處不大于90μm2的有效芯面積(Aeff)。
4.如權利要求1所述的低衰減光纖，其特征在于還包含：
在1530nm至1565nm波段為0.04至0.08ps/nm2/km的色散斜率；
絕對值為6ps/nm/km至10ps/nm/km的色散；
在1550波長處為40μm2至70μm2的有效芯面積。
5.如權利要求2所述的低衰減光纖，其特征在于還包含：
在1550nm波長處不大于90μm2的有效芯面積。
6.如權利要求2所述的低衰減光纖，其特征在于包含：
在1530nm至1565nm波段為0.04ps/nm2/km至0.08ps/nm2/km的色散斜率；
絕對值為6ps/nm/km至10ps/nm/km的色散；
在1550nm波長處為40μm2至70μm2的有效芯面積。
7.一種低衰減光纖，其特征在于包含：
在1530nm至1565nm波段絕對值為2.0至14.0PS/nm/km的色散(D)；
標準大氣條件下在1550nm波長保持不大于0.25dB/km的傳輸損耗；
其中所屬1550nm處的傳輸損耗以常規溫度在常規大氣壓下暴露在實質上含氫的氛圍中足夠長的時間后，不超過0.25dB/km。
8.如權利要求7所述的低衰減光纖，其特征在于包含：
在1530nm至1565nm波段不大于0.15ps/nm2/km的色散斜率(S)；
不大于0.5ps·km-1/2的極化膜色散(PMD)；
彎曲成20mm直徑時在1550nm波長處不大于40dB/m的損耗增量。
9.如權利要求7所述的低衰減光纖，其特征在于還包含：
在1550nm波長處不大于90μm2的有效芯面積(Aeff)。
10.如權利要求7所述的低衰減光纖，其特征在于還包含：
在1530nm至1565nm波段為0.04至0.08ps/nm2/km的色散斜率；
絕對值為6ps/nm/km至10ps/nm/km的色散；
在1550波長處為40μm2至70μm2的有效芯面積。
11.如權利要求8所述的低衰減光纖，其特征在于包含：
在1550nm波長處不大于90μm2的有效芯面積。
12.如權利要求8所述的低衰減光纖，其特征在于還包含：
在1530nm至1565nm波段為0.04ps/nm2/km至0.08ps/nm2/km的色散斜率；
絕對值為6ps/nm/km至10ps/nm/km的色散；
在1550nm波長處為40μm2至70μm2的有效芯面積。
13.一種低衰減光纖防氫處理方法，其特征在于所述防氫處理是以常規溫度在實質上含氘的氛圍中進行暴露，并且在拉纖工序后進行的。
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