[發明專利]互補雙極晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 02105218.2
• 申請日: 1997-10-10
• 公開（公告）號: CN1381901A
• 公開（公告）日: 2002-11-27
• 發明（設計）人: 金鐘钚;權泰勛;金喆重;李碩均
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/735
• 分類號: H01L29/735;H01L21/331;H01L21/82
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 李曉舒,魏曉剛

本申請是1997年10月10日提出的名為“互補雙極晶體管及其制造方法”的第97119313.4號申請的分案申請。

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本發明涉及互補雙極晶體管及其制造方法，特別涉及一種具有橫向雙極晶體管的互補雙極晶體管。

????????????????????????????????背景技術

在很多領域中，人們要求把眾多半導體器件集成在一張芯片中。為了把這些器件集成在芯片上需要很多復雜的工藝，因此，出現了許多問題。例如，多晶硅電阻器中的電阻率不均勻，即，電阻器中的雜質分布不均勻。這是因為，每當完成對多晶硅電阻器的摻雜，都要經歷多次離子注入步驟和驅進步驟。在順序進行離子注入步驟和驅進步驟中，多晶硅電阻器中的雜質不均勻地再次分布。此外，由于形成多個多晶硅電阻器后，分別淀積多晶硅層和構圖，以形成多晶硅電極，形成電阻和電極需要兩層多晶硅層，因此，使制造方法很復雜。而且，I²L特性不好，現在參照圖1A所示的常規I²L予以說明。

在p型襯底1上形成n⁺型掩埋層2，并在其上形成n型外延層3。外延層3有多個擴散區，如從外延層3的表面向下延伸的n型區4，8，9，10和24和p型區5，31和34。掩埋層2的邊緣上形成n⁺型槽區4。由槽區4包圍的外延層3的部分的中心區上形成LOCOS氧化物層(局部區域氧化層)13。LOCOS氧化層13的兩邊分別形成p型區5和31和34。p型區34包括兩個p^-型區36和37和一個位于兩個p^-型區36與37之間的中心p⁺型區35。p型區31具有一個鄰接LOCOS氧化層13的p^-型區33和一個與之相鄰的p⁺型區32，p型區5形成為與p型區31隔開。在p^-型區33、36和37中形成n⁺型區8，9和10。槽形區4的一邊內形成另一n⁺型區24，槽形區4的另一邊上形成LOCOS層14。環繞n⁺型區24的LOCOS氧化層11和12形成在外延層3上。在外延層3和LOCOS氧化物層11，12，13和14上形成氧化物層15，該氧化物層15在n⁺型區8，9，10和24上和p⁺型區5，32和35上有接觸孔。n型區8，9，10和24上的接觸孔中，形成與n⁺型區8，9，10和24接觸的多晶硅電極17，18，19和16，在各個多晶硅電極17，18，19和16上形成硅化物層30。其上形成層間絕緣膜23，它有露出多晶硅電極17，18，19和16的接觸孔和氧化層15中的接觸孔。最后，在接觸孔中形成分別與p⁺型區5、32和35接觸的金屬電極21、22和25，和分別與多晶硅電極16、17、18和19接觸的金屬電極20、C1、C2和C3。

該常規I2L中，在n⁺型區10，p^-型區和外延層3之間由圖1A中的A所標示的區域出現了穿通現象，所產生的漏電流使器件特性降低。

以下，參照圖1B說明常規的橫向pnp雙極晶體管。