[發明專利]用于降低氮化物消耗的聚集體介電層

無效

• 申請號: 02104751.0
• 申請日: 2002-02-10
• 公開（公告）號: CN1372303A
• 公開（公告）日: 2002-10-02
• 發明（設計）人: K·M·穆凱;S·察恩狄嵐
• 申請（專利權）人: 應用材料有限公司
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;H01L21/469
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王杰

1.一種方法，包括：

在基材上形成一種具有在包含氮的第一介電層和包含磷的第二介電層之間的隔絕層的聚集體；和

在形成所述聚集體之后，熱處理該基材。

2.根據權利要求1的方法，其中所述基材包括器件基底和至少一金屬層，且所述聚集體的引入包括在所述器件基底和所述至少一金屬層之間引入所述聚集體。

3.根據權利要求1的方法，其中所述基材包括非平面表面，且所述聚集體的引入包括直接在所述非平面表面上引入所述聚集體。

4.根據權利要求1的方法，其中所述基材包括至少一個溝槽，且所述聚集體的引入包括在所述至少一個溝槽中引入所述聚集體。

5.根據權利要求1的方法，其中所述第一介電層包含氮化硅。

6.根據權利要求5的方法，其中所述隔絕層包含介電材料。

7.根據權利要求6的方法，其中所述隔絕層包含硼。

8.一種方法，包括：

在基材之上，直接在包含氮的第一介電層上引入隔絕層；

直接在所述隔絕層上引入包含磷的第二介電層；和

熱處理所述基材。

9.根據權利要求8的方法，其中所述基材包括器件基底和至少一金屬層，且所述第一介電層的引入包括在所述器件基底和所述至少一金屬層之間引入所述第一介電層。

10.根據權利要求8的方法，其中所述基材包括非平面表面，且所述聚集體的引入包括直接在所述非平面表面上引入所述聚集體。

11.根據權利要求8的方法，其中所述基材包括至少一個溝槽，且所述聚集體的引入包括在所述至少一個溝槽中引入所述聚集體。

12.根據權利要求4的方法，其中所述隔絕層包含介電材料。

13.根據權利要求5的方法，其中所述隔絕層包含硼。

14.一種裝置，包括：

基材；和

具有在包含氮的第一介電材料和包含磷的第二介電材料之間的隔絕材料的聚集體。

15.根據權利要求14的裝置，其中所述基材包括器件基底和至少一金屬材料，且所述聚集體位于所述器件基底和所述至少一金屬材料之間。

16.根據權利要求15的裝置，其中所述第一介電材料包含氮化硅。

17.根據權利要求16的裝置，其中所述隔絕材料包含介電材料。

18.根據權利要求17的裝置，其中所述隔絕材料包含硼。