[發(fā)明專利]通過壓力擺動吸附生產高純度氧無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 02104675.1 | 申請日: | 2002-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN1381300A | 公開(公告)日: | 2002-11-27 |
| 發(fā)明(設計)人: | D·P·迪伊;R·L·奇安格;E·J·米勒;R·D·惠特利 | 申請(專利權)人: | 氣體產品與化學公司 |
| 主分類號: | B01D53/047 | 分類號: | B01D53/047;B01J20/18;C01B13/02 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 盧新華,郭廣迅 |
| 地址: | 美國賓夕*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 通過 壓力 擺動 吸附 生產 純度 | ||
1.一種從包含氧,氮和氬的原料氣體中回收氧的循環(huán)壓力擺動吸附法,它包含組合的在前流程段,它包括:
(a)將原料氣輸入第一吸附區(qū),該吸附區(qū)包含與氧和氬相比選擇性地吸附氮的吸附劑,并從中取出除氮的中間氣體;
(b)將除氮的中間氣體輸入包含吸附劑的第二吸附區(qū),所述吸附劑與氬相比選擇性地吸附氮,并且與氧相比選擇性地吸附氬;
(c)從第二吸附區(qū)取出富氧產品氣體;和
(d)終止原料氣輸入第一吸附區(qū),并以與(c)相同的流動方向從第二吸附區(qū)中取出富氧減壓氣體;
其中,由第一吸附區(qū)發(fā)生氮穿透并且在氮穿透之后,氮被吸附在第二吸附區(qū)中。
2.權利要求1的方法,其中在(a)期間發(fā)生由第一吸附區(qū)的氮穿透,并且在氮穿透之后,氮被吸附在第二吸附區(qū)中。
3.權利要求1的方法,其中在(d)期間發(fā)生由第一吸附區(qū)的氮穿透,并且在氮穿透之后,氮被吸附在第二吸附區(qū)中。
4.權利要求1的方法,其中,在氮穿透之后,從第一吸附區(qū)取出的除氮中間氣體中氮的濃度可在約0.5%體積和進入第一吸附區(qū)的原料氣中氮的濃度之間。
5.權利要求1的方法,其中,富含氧的氣體包含至少97%體積的氧。
6.權利要求1的方法,其中,第一吸附區(qū)中的吸附劑可包含一種或多種選自NaX、CaX、CaA、LiNaKX、LiZnX的吸附劑,其中X表示Si/Al比在約1.0和約1.25之間的X沸石。
7.權利要求1的方法,其中,第二吸附區(qū)中的吸附劑包含銀交換的X沸石,其中,在23℃的氬亨利定律常數與氧亨利定律常數之比至少約1.05,并且所述吸附劑還具有低于或等于沸石中總的可交換位置的約0.7的銀離子交換量。
8.權利要求7的方法,其中,在X沸石中的陽離子包含Li和Ag,并且離子交換陽離子組成呈LixAgyMzX的形式,式中0.85≤x+y≤1,0.2≤y≤0.7,0.0≤z≤0.15,M表示一種或多種陽離子,并且x、y和z表示沸石中總可交換位置的份數,其中,吸附劑的硅/鋁比低于約1.25,氬/氧選擇性大于約1.05。
9.權利要求1的方法,其中原料氣體是空氣。
10.權利要求1的方法,其中原料氣體包含氧、氮和氬,在原料氣體中氧的濃度在約20%和約95%體積之間,而原料氣體中氬的濃度在約1%和約5%體積之間。
11.權利要求1的方法,其中,第二吸附區(qū)所占據的體積大于第一和第二吸附區(qū)所占體積的約35%并小于100%。
12.權利要求11的方法,其中,第二吸附區(qū)所占據的體積大于第一和第二吸附區(qū)所占體積的約50%并小于100%。
13.權利要求12的方法,其中,第二吸附區(qū)所占據的體積大于第一和第二吸附區(qū)所占體積的約50%并小于或等于75%。
14.權利要求13的方法,其中第一和第二吸附區(qū)包含:在單一容器中單個的吸附劑層。
15.權利要求1的方法,其中原料氣體由另一壓力擺動吸附法的氣體產品提供,并且其中氣體產品包含高達約95%體積的氧。
16.一種供壓力擺動吸附法使用的吸附器,用于從包含氧、氮和氬的原料氣體中回收氧,所述吸附器包括:
(a)帶有進口端和出口端的容器;
(b)包含與氧和氬相比選擇性吸附氮的吸附劑的第一吸附區(qū);
(c)布置在第一吸附區(qū)和出口端之間的第二吸附區(qū),其中,第二吸附區(qū)包含與氬相比選擇性吸附氮、與氧相比選擇性吸附氬的吸附劑,并且其中,第二吸附區(qū)所占據的體積大于第一和第二吸附區(qū)所占總體積的約50%并小于100%;
(d)用于將原料氣送入吸附器中、位于入口端處的管線裝置;和
(e)用于從吸附器中取出氧產品氣體、位于出口端處的管線裝置。
17.權利要求16的吸附器,其中,第一和第二吸附區(qū)可各自包含在容器中的第一和第二吸附劑層。
18.權利要求17的吸附器,其中,第二吸附劑層所占據的體積大于第一和第二吸附區(qū)所占總體積的約50%并小于或等于約75%。
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