[發明專利]太陽能電池及其制造方法無效
| 申請號: | 02103590.3 | 申請日: | 2002-02-07 |
| 公開(公告)號: | CN1369919A | 公開(公告)日: | 2002-09-18 |
| 發明(設計)人: | 江本真樹子;藤田健太郎;柴田明夫;橫田洋 | 申請(專利權)人: | 株式會社荏原制作所 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/04 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人: | 韓宏 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
1.一種制造太陽能電池的方法,包括:
使半導體晶體襯底的一個正面與含有氟化物的電解液接觸;
將一個電極放置于所述電解液中;
在所述電極和所述半導體晶體襯底之間通過電流,并且向所述半導體晶體襯底施加光,以生成空穴和電子對;以及
通過在與所述的電解液保持接觸的半導體晶體襯底的正面內使所述空穴和離子結合來蝕刻所述半導體晶體襯底,由此形成至少一個表面不規則性結構。
2.根據權利要求1所述方法,其特征在于:
所述半導體晶體襯底包括具有(111)表面的多晶硅襯底或單晶硅襯底。
3.根據權利要求1所述方法,其特征在于:
所述半導體晶體襯底包括一具有至多150μm厚度的單晶硅襯底。
4.一種太陽能電池,包括其厚度至多為150μm且具有(111)表面的半導體晶體襯底和布置在所述半導體晶體襯底的表面上的組織化結構。
5.根據權利要求4所述太陽能電池,其特征在于所述半導體晶體襯底包括一單晶硅襯底或一多晶硅襯底。
6.根據權利要求4所述太陽能電池,其特征在于:
按以下方式形成所述的組織化結構:通過使所述半導體晶體襯底的表面與含有氟化物的電解液接觸,在放置在所述的電解液內的電極與所述的半導體晶體襯底之間通過電流,并向所述半導體晶體襯底施加光。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社荏原制作所,未經株式會社荏原制作所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/02103590.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





